[發明專利]一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法有效

申請號：	201810917874.1	申請日：	2018-08-13
公開（公告）號：	CN109261646B	公開（公告）日：	2022-04-01
發明（設計）人：	艾自紅;安志恒;沙剛;靳慎豹;胡蓉	申請（專利權）人：	南京理工大學
主分類號：	B08B7/00	分類號：	B08B7/00
代理公司：	南京理工大學專利中心 32203	代理人：	鄒偉紅
地址：	210094 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種利用聚焦離子束清理三維原子探針局域電極方法
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【說明書】：

本發明公開了一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法，方法包括：將三維原子探針近局域電極裝于聚焦離子束樣品臺上，將帶三維原子探針近局域電極的樣品臺放置在聚焦離子束中；在聚焦離子束中，傾轉樣品臺，調整成像補償角度，調整工作距離；將要切的三維原子探針近局域電極在FIB圖像模式下對齊到最中心；將FIB的環切環的外環與三維原子探針近局域電極中心環上的突起缺陷的根部對齊，內環與中心環上突起缺陷的頂端邊緣對齊，環切到三維原子探針近局域電極環表面無雜質。本發明提供的清理方法，通過聚焦離子束清理局域電極，實現了三維原子探針近局域電極的徹底清理，尤其是內部的徹底清理，節約了成本。

技術領域

本發明涉及材料領域，具體涉及一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法。

背景技術

三維原子探針是一種具有原子級空間分辨率的測量和分析方法。基于“場蒸發”原理，三維原子探針通過在樣品上施加一個強電壓脈沖或者激光脈沖，將其表面原子逐一變成離子而通過近局域電極并收集。這要求電極表面自身的清潔度高，才能保證采集到的離子為樣品上的離子，而非存在于電極表面的雜質離子。當樣品在采集過程中發生斷裂時，斷裂部分會粘附在電極中心環周狀內表面上，導致近局域電極污染，影響之后的數據采集。

傳統的受污染電極的處理方法有兩種，一種是將使用后的電極做報廢處理并重新購買新電極或者寄回原廠返修，其缺陷在于：造成電極浪費、購置電極的周期長，影響設備正常使用。另一種利用超高頻電壓清理三維原子探針近局域電極的方法具有清理不徹底的缺點，電極內環部的形狀缺陷無法解決，不能達到良好的清理效果。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中受污染的三維原子探針局域電極，原廠返修清理成本高、超高頻電壓清理不切底等問題，從而提供一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法，通過聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極，既能得到良好的清理結果，又能節省大量時間和費用。

為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本發明通過以下技術方案實現：

一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法，其特征在于，采用環狀的聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極中心的環周狀內表面。

將所述聚焦離子束的環切環的外環與三維原子探針近局域電極中心環上的突起缺陷的根部對齊，環切環的內環與中心環上突起缺陷的頂端邊緣對齊，從而將突起缺陷清理掉。

所述方法包括如下步驟：

步驟S1：將三維原子探針近局域電極裝到聚焦離子束樣品臺上，傾轉樣品臺，調整成像補償角度，調整工作距離；

步驟S2：在FIB成像模式下將環切環的中心與三維原子探針近局域電極中心對齊；

步驟S3：將FIB的環切環的外環與三維原子探針近局域電極中心環上的突起缺陷的根部對齊，環切環的內環與中心環上突起缺陷的頂端邊緣對齊；

步驟S4：環切到在環切環的內環與外環之間沒有雜質為止。

所述步驟S1具體包括如下步驟：