[發(fā)明專利]一種利用聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810917874.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109261646B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 艾自紅;安志恒;沙剛;靳慎豹;胡蓉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B08B7/00 | 分類號(hào): | B08B7/00 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 鄒偉紅 |
| 地址: | 210094 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 聚焦 離子束 清理 三維 原子 探針 局域 電極 方法 | ||
1.一種聚焦離子束的用途,其特征在于,用于清理三維原子探針近局域電極,具體方法為采用環(huán)狀的聚焦離子束清理三維原子探針近局域電極(7)中心的環(huán)周狀內(nèi)表面;將所述聚焦離子束的環(huán)切環(huán)的外環(huán)(4)與三維原子探針近局域電極(7)中心環(huán)上的突起缺陷(1)的根部對(duì)齊,環(huán)切環(huán)的內(nèi)環(huán)(3)與中心環(huán)上突起缺陷(1)的頂端邊緣對(duì)齊,從而將突起缺陷(1)清理掉;
所述方法包括如下步驟:
步驟S1:將三維原子探針近局域電極(7)裝到聚焦離子束樣品臺(tái)(6)上,傾轉(zhuǎn)樣品臺(tái)(6),調(diào)整成像補(bǔ)償角度,調(diào)整工作距離;
步驟S2:在FIB成像模式下將環(huán)切環(huán)的中心與三維原子探針近局域電極(7)中心對(duì)齊;
步驟S3:將FIB的環(huán)切環(huán)的外環(huán)(4)與三維原子探針近局域電極(7)中心環(huán)上的突起缺陷(1)的根部對(duì)齊,環(huán)切環(huán)的內(nèi)環(huán)(3)與中心環(huán)上突起缺陷(1)的頂端邊緣對(duì)齊;
步驟S4:環(huán)切到在環(huán)切環(huán)的內(nèi)環(huán)(3)與外環(huán)(4)之間沒有雜質(zhì)為止;
所述步驟S1具體包括如下步驟:
S11:將三維原子探針近局域電極(7)固定到樣品臺(tái)(6)上;
S12:將緩沖倉(cāng)(12)中的氮?dú)夥诺簦⒋蜷_緩沖倉(cāng)倉(cāng)門(11);
S13:將樣品臺(tái)(6)裝載到緩沖倉(cāng)(12)中的緩沖倉(cāng)樣品臺(tái)基座(13)上;
S14:關(guān)閉緩沖倉(cāng)倉(cāng)門(11);
S15:轉(zhuǎn)移樣品臺(tái)(6),將樣品臺(tái)(6)從緩沖倉(cāng)樣品臺(tái)基座(13)上推至工作倉(cāng)樣品臺(tái)基座(14)上;
S16:關(guān)閉工作倉(cāng)倉(cāng)門(10);
S17:打開電子槍,打開電子槍后將樣品臺(tái)(6)調(diào)整到電子槍正下方;
S18:傾轉(zhuǎn)樣品臺(tái)(6),樣品臺(tái)(6)傾轉(zhuǎn)的傾轉(zhuǎn)角度為54°,以使三維原子探針近局域電極(7)所在平面與離子槍成垂直狀態(tài);
S19:調(diào)整工作距離,具體的調(diào)整工作距離到5.1mm,使得其處于離子槍的工作距離;
所述步驟S2具體包括如下步驟:
S21:打開離子槍;
S22:將SEM圖像模式下的視場(chǎng)和FIB圖像模式下的視場(chǎng)調(diào)整到一致;
S23:調(diào)整聚焦離子束,從而調(diào)出環(huán)切環(huán);
所述步驟S3具體包括如下步驟:
S31:將FIB的環(huán)切環(huán)的外環(huán)(4)與三維原子探針近局域電極(7)中心環(huán)上的突起缺陷(1)的根部對(duì)齊;
S32:將FIB的環(huán)切環(huán)的內(nèi)環(huán)(3)與中心環(huán)上突起缺陷(1)的頂端邊緣對(duì)齊;
所述步驟S4具體包括如下步驟:
S41:開始環(huán)切;
S42:調(diào)節(jié)環(huán)切環(huán)位置,所述調(diào)節(jié)環(huán)切環(huán)位置是在一次環(huán)切暫停后進(jìn)行的,確保下次的環(huán)切位置正確;
S43:環(huán)切環(huán)的內(nèi)環(huán)(3)與外環(huán)(4)之間沒有雜質(zhì)時(shí)結(jié)束環(huán)切;
所述步驟S2的S22步驟具體包括如下步驟:
S221:將圖像切換到FIB模式前先將離子槍電流調(diào)整到2nA;
S222:選擇圖像參考點(diǎn)后將圖像切換到FIB模式;
S223:將圖像切換到FIB模式后將圖像調(diào)整清晰,所述將圖像調(diào)整清晰是通過調(diào)整放大、聚焦、像散、亮度、對(duì)比度來實(shí)現(xiàn)的;
S224:切換到FIB模式將圖像調(diào)整清晰后將FIB圖像和SEM圖像調(diào)整到相同位置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京理工大學(xué),未經(jīng)南京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810917874.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





