[發明專利]一種芯片封裝結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201810915010.6 | 申請日： | 2018-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN109065510B | 公開（公告）日： | 2019-12-24 |
| 發明（設計）人： | 王永貴;陽林濤;邱一平 | 申請（專利權）人： | 王永貴;陽林濤;邱一平 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 44419 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 劉小芹 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片封裝結構 制備 襯底上表面 第一金屬層 防水層 外延層 襯底 第二金屬層 熱穩定性 階梯面 上表面 電阻 填充 背面 側面 覆蓋 | ||
1.一種芯片的封裝結構的制備方法，包括襯底，其特征在于：所述襯底上表面的兩側分別形成階梯面，芯片的封裝結構包括形成在所述襯底上表面的外延層、填充在所述上表面及階梯面上的防水層、形成在所述襯底未被所述防水層和所述外延層覆蓋的背面與側面的第一金屬層以及形成在所述第一金屬層上的第二金屬層；
包括如下步驟：
步驟S1：提供一個晶元，所述晶元包括多個芯片及位于多個芯片之間的劃片道，所述芯片包括襯底、形成在所述襯底上的外延層；
步驟S2：在所述劃片道上開設延伸至所述襯底的第一溝槽，在外延層開設第二溝槽，所述第二溝槽的寬度大于所述第一溝槽的寬度，所述第一溝槽與所述第二溝槽連通共同構成了劃片槽；
步驟S3：在所述外延層及所述劃片槽內形成防水層；
步驟S4：去除所述外延層上面及劃片槽上方凸出于所述外延層上面的防水層，在去除了防水層的位置制備鈍化層；
步驟S5：對所述劃片槽進行劃片，將所述芯片分割；
步驟S6：在分割后的芯片外圍制備第一金屬層，將整個芯片覆蓋，加熱到一定溫度，保持足夠時間，緩慢冷卻，使金屬與襯底接觸部分發生反應，生成金屬硅化物層，去除鈍化層和防水層表面未反應金屬；
步驟S7：在所述金屬硅化物層上制備金屬層。
2.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述芯片的封裝結構還包括形成在所述防水層和所述外延層上表面的鈍化層，所述鈍化層為氧化硅保護層。
3.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述防水層所用填充材料為聚酰亞胺。
4.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層為金屬硅化物層。
5.根據權利要求4所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述金屬硅化物層由金屬鈦、鎢、鎳、鋁與襯底反應形成。
6.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層為電鍍金屬層。
7.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述溝槽使用干法刻蝕。
8.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述劃片槽側壁使用犧牲氧化法修復，所述犧牲氧化法，包括如下步驟：
將已刻蝕芯片放入高溫爐管中，升高溫度，然后通入氧氣，劃片槽側壁形成二氧化硅氧化層；
使用氧化硅刻蝕液去除所述二氧化硅氧化層。
9.根據權利要求1所述的一種芯片的封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟S7中所述金屬層為電鍍金屬層，為金或銅或鋁或銀或鈦或合金。
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