[發(fā)明專利]帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810910132.6
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109065509A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付偉
• 申請（專利權(quán)）人: 付偉
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發(fā)明揭示了一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝基板，具有若干外部引腳；濾波器芯片，具有若干電極；若干互連結(jié)構(gòu)，用于導(dǎo)通若干電極及若干外部引腳；圍堰，與芯片下表面及基板上表面配合而圍設(shè)形成空腔；其中，圍堰位于若干電極的內(nèi)側(cè)，封裝基板具有若干通孔，互連結(jié)構(gòu)包括相互導(dǎo)通的第一互連結(jié)構(gòu)及第二互連結(jié)構(gòu)，第一互連結(jié)構(gòu)導(dǎo)通電極，第二互連結(jié)構(gòu)通過通孔而導(dǎo)通外接引腳，通孔位于第一互連結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離空腔的一側(cè)。本發(fā)明通過設(shè)置圍堰形成空腔，可以有效避免在封裝結(jié)構(gòu)制作過程中或是在封裝結(jié)構(gòu)使用過程中外界物質(zhì)進(jìn)入空腔內(nèi)部而影響濾波器芯片的正常使用，從而提高封裝結(jié)構(gòu)的整體性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

射頻集成電路(RFIC)被廣泛地用于無線裝置，例如，蜂巢式電話。

RFIC在基體上把傳輸線、匹配網(wǎng)絡(luò)和電感線圈、電阻、電容器和晶體管之類的分立元件結(jié)合在一起提供能夠傳輸和接收高頻信號的子系統(tǒng)，舉例來說，在大約0.1到100千兆赫(GHz)的范圍內(nèi)，RFIC的封裝明顯不同于數(shù)字集成電路的封裝，因?yàn)樵摲庋b往往是射頻電路的一部分，而且，因?yàn)镽FIC復(fù)雜的射頻電場和/或磁場能與任何附近的絕緣體和導(dǎo)體相互作用，為了符合無線工業(yè)日益增加的需求，RFIC封裝發(fā)展設(shè)法提供更小巧、更廉價(jià)、性能更高的能適應(yīng)多裸片射頻模塊的裝置，同時(shí)提供更高的可靠性和使用無鉛焊劑和其它“綠色的”材料。單或多裸片RFIC被個(gè)別封裝的單一芯片封裝是解決RFIC的小尺寸和低成本需求的直接解決辦法，而且現(xiàn)在被用于大多數(shù)RFIC。

微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)準(zhǔn)許微小尺度機(jī)械運(yùn)動(dòng)和指定的電信號之間的受控轉(zhuǎn)換，舉例來說，與指定的頻率一致，MEMS正在廣泛地用于RFIC。

基于機(jī)械運(yùn)動(dòng)，射頻MEMS就射頻頻帶濾波器而言能實(shí)現(xiàn)極好的信號品質(zhì)，舉例來說，SAW濾波器把電信號轉(zhuǎn)換成機(jī)械波，后者在它轉(zhuǎn)換回電信號之前沿著壓電晶體基體傳播的時(shí)候被延遲；BAW濾波器使用體積整體運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)預(yù)期的特殊共振；而在RF開關(guān)中，電信號用來控制微電極的運(yùn)動(dòng)，打開或關(guān)閉開關(guān)。

現(xiàn)在的MEMS技術(shù)已經(jīng)從半導(dǎo)體制造工藝發(fā)展起來，然而，與MEMS相關(guān)聯(lián)的機(jī)械運(yùn)動(dòng)要求完全不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體集成電路的封裝構(gòu)造和要求，具體地說，在所有的MEMS集成電路內(nèi)部，一些材料必須不受干擾地自由移動(dòng)，因此，MEMS集成電路必須被遮蔽在運(yùn)動(dòng)材料周圍形成小的真空或氣穴以便在允許它們運(yùn)動(dòng)同時(shí)保護(hù)它們。

而現(xiàn)有技術(shù)中，無法形成一個(gè)封閉且可靠的空腔來實(shí)現(xiàn)電路或其他結(jié)構(gòu)的保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的之一，本發(fā)明一實(shí)施方式提供一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

封裝基板，具有相對設(shè)置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一側(cè)具有若干外部引腳；

濾波器芯片，具有相對設(shè)置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設(shè)置，所述芯片下表面具有若干電極；

若干互連結(jié)構(gòu)，用于導(dǎo)通若干電極及若干外部引腳；

圍堰，與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設(shè)形成空腔；

其中，所述圍堰位于若干電極的內(nèi)側(cè)，所述封裝基板具有若干通孔，所述互連結(jié)構(gòu)包括相互導(dǎo)通的第一互連結(jié)構(gòu)及第二互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)導(dǎo)通所述電極，所述第二互連結(jié)構(gòu)通過所述通孔而導(dǎo)通所述外接引腳，所述通孔位于所述第一互連結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述空腔的一側(cè)。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括金屬柱及焊錫，所述第二互連結(jié)構(gòu)包括電鍍層，所述金屬柱導(dǎo)通所述電極，所述電鍍層導(dǎo)通所述外部引腳，所述焊錫用于導(dǎo)通所述金屬柱及所述電鍍層。