[發明專利]帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201810910132.6
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109065509A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 付偉
• 申請（專利權）人: 付偉
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結構，其特征在于，包括：

封裝基板，具有相對設置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一側具有若干外部引腳；

濾波器芯片，具有相對設置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設置，所述芯片下表面具有若干電極；

若干互連結構，用于導通若干電極及若干外部引腳；

圍堰，與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔；

其中，所述圍堰位于若干電極的內側，所述封裝基板具有若干通孔，所述互連結構包括相互導通的第一互連結構及第二互連結構，所述第一互連結構導通所述電極，所述第二互連結構通過所述通孔而導通所述外接引腳，所述通孔位于所述第一互連結構遠離所述空腔的一側。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一互連結構包括金屬柱及焊錫，所述第二互連結構包括電鍍層，所述金屬柱導通所述電極，所述電鍍層導通所述外部引腳，所述焊錫用于導通所述金屬柱及所述電鍍層。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述電鍍層包括相連的位于所述基板上表面的第一電鍍層、位于所述通孔內壁的第二電鍍層及位于所述基板下表面的第三電鍍層，所述焊錫包覆所述金屬柱并與所述第一電鍍層相連，所述第三電鍍層連接所述外部引腳。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，連接所述焊錫的第一電鍍層延伸至所述基板上表面的寬度大于對應的第三電鍍層延伸至所述基板下表面的寬度。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述第一電鍍層靠近所述空腔的一側連接所述圍堰。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述若干電極圍設形成的內輪廓連接所述圍堰。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片下表面覆蓋所述圍堰的上表面，所述基板上表面覆蓋所述圍堰的下表面。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括位于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側的塑封層，所述塑封層同時包覆所述圍堰外側區域及所述濾波器芯片，所述塑封層填充所述通孔，且所述封裝結構還包括設置于所述基板下表面且暴露出所述外部引腳的防焊層。

9.一種帶有單圍堰及外移通孔的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括步驟：

S1：提供濾波器芯片，其具有相對設置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面具有若干電極；

S2：于所述電極的下表面形成金屬柱；

S3：提供封裝基板，其具有相對設置的基板上表面及基板下表面；

S4：于所述封裝基板上形成若干通孔；

S5：于所述通孔內壁及連接所述通孔內壁的基板上表面、基板下表面形成電鍍層；

S6：于所述基板上表面形成圍堰；

S7：于位于所述通孔及所述圍堰之間的所述電鍍層上點焊錫；

S8：將所述濾波器芯片組裝至所述封裝基板，所述芯片下表面與所述基板上表面面對面設置，所述圍堰位于若干電極的內側，且所述圍堰與所述芯片下表面及所述基板上表面配合而圍設形成空腔，焊錫導通所述金屬柱及所述電鍍層；

S9：于所述電鍍層下方形成外部引腳。

10.根據權利要求9所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，步驟S5、S6、S7具體包括：

于所述基板上表面及所述基板下表面分別形成第二光刻膠膜及第三光刻膠膜；

于所述第二光刻膠膜曝光和顯影形成第二孔洞，所述第二孔洞暴露出所述通孔及基板上表面；

于所述第三光刻膠膜曝光和顯影形成第三孔洞，所述第三孔洞暴露出所述通孔及基板下表面；

于暴露在外的基板上表面形成第一電鍍層，于暴露在外的通孔內壁形成第二電鍍層，于暴露在外的基板下表面形成第三電鍍層；

去除第二光刻膠膜及第三光刻膠膜；

于所述基板上表面形成圍堰，所述圍堰連接所述第一電鍍層遠離所述通孔的一側；

于所述第一電鍍層靠近所述圍堰的區域點焊錫；

步驟S9具體包括：

于所述封裝基板遠離所述基板下表面的一側形成塑封層，所述塑封層同時包覆所述圍堰外側區域及所述濾波器芯片，且所述塑封層填充所述通孔；

于基板下表面形成防焊層，所述防焊層同時包覆所述基板下表面及所述第三電鍍層；

于所述防焊層曝光和顯影形成若干第四孔洞，所述第四孔洞暴露出所述第三電鍍層；

于若干第四孔洞內形成球柵陣列。