[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810909958.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109473338A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尾崎貴志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。要解決的課題為降低排氣部的維護(hù)頻率。半導(dǎo)體器件的制造方法具有下述工序：對(duì)處理容器內(nèi)的襯底供給處理氣體，并從包括排氣管以及泵的排氣部進(jìn)行排氣，從而對(duì)襯底進(jìn)行處理的工序；從設(shè)置于排氣管的供給端口向排氣管內(nèi)直接供給第一清潔氣體，從而對(duì)排氣部?jī)?nèi)進(jìn)行清潔的工序；和向處理容器內(nèi)供給第二清潔氣體，從而對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行清潔的工序，其中，使實(shí)施對(duì)排氣部?jī)?nèi)進(jìn)行清潔的工序的頻率高于實(shí)施對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行清潔的工序的頻率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體器件的制造工序的一個(gè)工序，有時(shí)進(jìn)行下述工序：對(duì)處理容器內(nèi)的襯底供給處理氣體，從包括排氣管及泵的排氣部進(jìn)行排氣，從而處理襯底。若通過(guò)進(jìn)行該工序而在處理容器內(nèi)等附著了規(guī)定量的副產(chǎn)物，則有時(shí)于規(guī)定的時(shí)機(jī)(timing)進(jìn)行處理容器內(nèi)等的清潔(例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。另外，若在排氣部?jī)?nèi)附著了規(guī)定量的副產(chǎn)物，則有時(shí)于規(guī)定的時(shí)機(jī)進(jìn)行排氣部的維護(hù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2002-222805號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明的目的在于，提供能夠降低排氣部的維護(hù)頻率的技術(shù)。

用于解決課題的手段

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供下述技術(shù)，其具有下述工序：

對(duì)處理容器內(nèi)的襯底供給處理氣體，并從包括排氣管以及泵的排氣部進(jìn)行排氣，從而對(duì)所述襯底進(jìn)行處理的工序；

從設(shè)置于所述排氣管的供給端口向所述排氣管內(nèi)直接供給第一清潔氣體，從而對(duì)所述排氣部?jī)?nèi)進(jìn)行清潔的工序；和

向所述處理容器內(nèi)供給第二清潔氣體，從而對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行清潔的工序，

其中，使實(shí)施對(duì)所述排氣部?jī)?nèi)進(jìn)行清潔的工序的頻率高于實(shí)施對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行清潔的工序的頻率。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠降低排氣部的維護(hù)頻率。

附圖說(shuō)明

[圖1]為本發(fā)明的一實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖，并且是以縱剖面圖示出處理爐部分的圖。

[圖2]為本發(fā)明的一實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖，并且是以圖1的A-A線剖面圖示出處理爐部分的圖。

[圖3]為本發(fā)明的一實(shí)施方式中適合使用的襯底處理裝置的控制器的概略構(gòu)成圖，并且是以框圖示出控制器的控制系統(tǒng)的圖。

[圖4]為示出本發(fā)明的一實(shí)施方式的襯底處理順序的圖。

[圖5](a)為示出不實(shí)施第一清潔處理的情況下的排氣部的維護(hù)頻率的圖，(b)為示出實(shí)施第一清潔處理的情況下的排氣部的維護(hù)頻率的圖。

[圖6]為示出附著于排氣部?jī)?nèi)的副產(chǎn)物、與供給至排氣部?jī)?nèi)的HF氣體的反應(yīng)的情形的圖。

[附圖標(biāo)記說(shuō)明]

200 晶片(襯底)

具體實(shí)施方式

＜本發(fā)明的一實(shí)施方式＞

以下，參照?qǐng)D1～圖4，說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施方式。

(1)襯底處理裝置的構(gòu)成