[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 201810909958.0
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN109473338A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 尾崎貴志
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

對處理容器內的襯底供給處理氣體，并從包括排氣管以及泵的排氣部進行排氣，從而對所述襯底進行處理的工序；

從設置于所述排氣管的供給端口向所述排氣管內直接供給第一清潔氣體，從而對所述排氣部內進行清潔的工序；和

向所述處理容器內供給第二清潔氣體，從而對所述處理容器內進行清潔的工序，

其中，使實施對所述排氣部內進行清潔的工序的頻率高于實施對所述處理容器內進行清潔的工序的頻率。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其還具有更換所述泵的工序，

其中，使實施更換所述泵的工序的頻率低于實施對所述處理容器內進行清潔的工序的頻率。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其還具有更換所述排氣管的工序，

其中，使實施更換所述排氣管的工序的頻率低于實施對所述處理容器內進行清潔的工序的頻率。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其還具有更換所述泵的工序、和更換所述排氣管的工序，

其中，使實施更換所述排氣管的工序的頻率為實施更換所述泵的工序的頻率以下。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

每實施1次對所述襯底進行處理的工序后，實施對所述排氣部內進行清潔的工序，

每實施多次對所述襯底進行處理的工序后，實施對所述處理容器內進行清潔的工序。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述襯底的處理結束后、直到開始下一個襯底的處理前之間的期間實施對所述排氣部內進行清潔的工序。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在將襯底收容于所述處理容器內的狀態下實施對所述排氣部內進行清潔的工序。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述襯底的處理結束后、將實施了所述處理的所述襯底從所述處理容器內搬出之前，實施對所述排氣部內進行清潔的工序。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述襯底的處理結束后、將實施了所述處理的所述襯底從所述處理容器內搬出之后，實施對所述處理容器內進行清潔的工序。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在將所述處理容器的供所述襯底出入的開口部密閉而不是打開的狀態下，實施對所述排氣部內進行清潔的工序。

11.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在使所述排氣管的排氣閥處于完全關閉的狀態下實施對所述排氣部內進行清潔的工序，所述排氣閥被設置于比設置有所述供給端口的部分更靠上游一側。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一清潔氣體包含氟化氫氣體，所述第二清潔氣體包含氟氣體、氟化氯氣體、氟化氮氣體或氟化氫氣體。

13.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在處理所述襯底的工序中，在所述襯底上形成至少包含硅以及氧的膜。