[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810908701.3 | 申請日： | 2018-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN110828556B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇柏文;林志韋;賴威志;林泰言 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:
基板，有元件區(qū)域及邊緣區(qū)域；
多個元件結(jié)構(gòu)，形成在所述基板上；以及
蝕刻停止層，設(shè)置在所述基板的所述邊緣區(qū)域，其中所述蝕刻停止層是從所述基板的暴露表層由P型摻雜所轉(zhuǎn)換而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述邊緣區(qū)域的元件密度小于所述元件區(qū)域的元件密度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述元件區(qū)域的所述元件結(jié)構(gòu)的頂暴露表面是介電絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板是單面基板或是雙面基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述基板的所述邊緣區(qū)域的所述P型摻雜有足夠的摻雜濃度，以將所述基板的硅材質(zhì)轉(zhuǎn)換當(dāng)作所述蝕刻停止層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型摻雜是含硼的摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的所述邊緣區(qū)域相對于元件區(qū)域是傾斜面且屬于所述基板的一部分被暴露。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，含有所述P型摻雜的硅材質(zhì)保留，且所述傾斜面趨近傾斜平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述邊緣區(qū)域的所述傾斜面包括所述基板的部分以及所述元件結(jié)構(gòu)的殘留部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個元件結(jié)構(gòu)用于后續(xù)形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個元件結(jié)構(gòu)是半制造完成結(jié)構(gòu)，在元件區(qū)域所包含的硅材質(zhì)后續(xù)需要被移除。
12.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括:
提供基板，有元件區(qū)域及邊緣區(qū)域；
形成多個元件結(jié)構(gòu)在所述基板上，其中所述多個元件結(jié)構(gòu)包含硅材質(zhì)；
形成掩模層，暴露在所述邊緣區(qū)域的所述元件結(jié)構(gòu)的所述硅材質(zhì)及所述基板的一部分；
在所述邊緣區(qū)域進行P型摻雜工藝，將在所述邊緣區(qū)域暴露的所述硅材質(zhì)及所述基板的頂部區(qū)域轉(zhuǎn)換成當(dāng)作蝕刻停止層的材質(zhì)；以及
進行蝕刻工藝，以移除所述硅材質(zhì)，其中在所述邊緣區(qū)域的所述硅材質(zhì)被所述蝕刻停止層保護。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述邊緣區(qū)域的元件密度小于所述元件區(qū)域的元件密度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在進行所述P型摻雜工藝前，包括對所述基板進行研磨工藝，以至少暴露所述多個元件結(jié)構(gòu)的所述硅材質(zhì)，其中在所述邊緣區(qū)域產(chǎn)生傾斜面且屬于所述基板的一部分被暴露。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在所述研磨工藝后的所述傾斜面趨近傾斜平面。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在所述邊緣區(qū)域的所述傾斜面包括所述基板的部分以及所述元件結(jié)構(gòu)的殘留部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述P型摻雜工藝包含摻雜濃度，以將所述基板的硅材質(zhì)轉(zhuǎn)換當(dāng)作所述蝕刻停止層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述P型摻雜工藝是摻雜含硼的摻雜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
