[發(fā)明專利]帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810908533.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN109041559B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張昕;曹艷杰;陳少波;徐穎龍;虞成城
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市信維通信股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K9/00
• 分類號(hào): H05K9/00;H01P11/00
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

本發(fā)明公開了帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法，帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線包括基材層，基材層的至少一側(cè)設(shè)有系統(tǒng)地層，系統(tǒng)地層遠(yuǎn)離基材層的一側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，包括如下步驟，S1：在保護(hù)層上制造使系統(tǒng)地層外露的開窗；S2：將屏蔽膜貼于帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的表面，并使屏蔽膜包覆帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線，其中，屏蔽膜包括屏蔽層且屏蔽層的一側(cè)具有導(dǎo)電膠；S3：擠壓屏蔽膜，使屏蔽膜上的導(dǎo)電膠填充開窗以讓屏蔽膜與系統(tǒng)地層導(dǎo)通。形成一個(gè)完整的、封閉的屏蔽結(jié)構(gòu)，極大程度上提高了帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的屏蔽性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線，尤其涉及帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法。

背景技術(shù)

隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展，到當(dāng)前4G網(wǎng)絡(luò)，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)不論是在用戶數(shù)還是傳輸速率都呈現(xiàn)爆發(fā)增長，全球移動(dòng)用戶的數(shù)量達(dá)到30多億，4G網(wǎng)絡(luò)傳輸速率達(dá)到百M(fèi)bps級(jí)，且未來5G網(wǎng)絡(luò)的商用，百億級(jí)的入網(wǎng)數(shù)量、ms級(jí)別的低延時(shí)及Gbps的傳輸速率即將變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

終端產(chǎn)品則需要采用MIMO的多通道技術(shù)以實(shí)現(xiàn)高速傳輸。限于終端產(chǎn)品的輕薄化，越來越多的射頻傳輸方式由同軸線轉(zhuǎn)化為帶狀饋線，帶狀饋線一方面可達(dá)到和同軸線一樣的低損耗，另一方面可集成多合一傳輸線，還能達(dá)到輕薄化，但現(xiàn)有的用于傳輸射頻信號(hào)的帶狀饋線因其側(cè)面完全開放，無法達(dá)到同軸線般的屏蔽性能。

未來5G終端產(chǎn)品集成化越來越高，天線的數(shù)量與工作頻率也將達(dá)到毫米波，必將對(duì)傳輸線的屏蔽性能提出更高的要求，才能保證傳輸線對(duì)外的輻射不會(huì)影響天線或其他器件正常工作，同樣天線或其他器件的輻射也會(huì)對(duì)傳輸線本身造成大的干擾。因此，有必要為現(xiàn)有的帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線增加屏蔽結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有的帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線一般包括基材層，所述基材層的至少一側(cè)設(shè)有系統(tǒng)地層，所述系統(tǒng)地層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)設(shè)置有保護(hù)層。基材層兩側(cè)分別有所述系統(tǒng)地層時(shí)，為帶狀線；基材層僅一側(cè)有所述地層時(shí)，為微帶線。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法以給現(xiàn)有的帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線增加屏蔽結(jié)構(gòu)從而提高帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的屏蔽性能。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法，所述帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線包括基材層，所述基材層的至少一側(cè)設(shè)有系統(tǒng)地層，所述系統(tǒng)地層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，包括如下步驟，

S1：在所述保護(hù)層上制造使所述系統(tǒng)地層外露的開窗；

S2：將屏蔽膜貼于所述帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的表面，并使所述屏蔽膜包覆所述帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線，其中，所述屏蔽膜包括屏蔽層且屏蔽層的一側(cè)具有導(dǎo)電膠；

S3：擠壓屏蔽膜，使屏蔽膜上的導(dǎo)電膠填充所述開窗以讓所述屏蔽膜與所述系統(tǒng)地層導(dǎo)通。

本發(fā)明的有益效果在于：設(shè)置包覆帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的屏蔽膜，并讓屏蔽膜與帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的系統(tǒng)地層導(dǎo)通，從而形成一個(gè)完整的、封閉的屏蔽結(jié)構(gòu)，有效地防止電磁信號(hào)從帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的左右側(cè)面泄露，極大程度上提高了帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線的屏蔽性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明帶狀射頻傳輸線/微帶射頻傳輸線中屏蔽結(jié)構(gòu)制造方法的流程圖；

圖2為利用本發(fā)明實(shí)施例一的制造方法制造出的帶狀射頻傳輸線的截面圖；

圖3為利用本發(fā)明實(shí)施例一的制造方法制造出的另一種微帶射頻傳輸線的截面圖；

圖4為利用本發(fā)明實(shí)施例二的制造方法制造出的帶狀射頻傳輸線的截面圖；