[發(fā)明專利]分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810905896.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109375088A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱德明;張振峰;楊國(guó)良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢盛為芯科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;H01S5/00
• 代理公司: 武漢維創(chuàng)品智專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42239
• 代理人: 余麗霞

本發(fā)明公開(kāi)分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法，包括以下步驟：連續(xù)施加脈沖電流I_i；脈沖電流0＜I_i≤100mA；施加脈沖電流I_i的時(shí)間間隔5?20μs，脈沖電流I_i占空比為50％；施加脈沖電流時(shí)，采集分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片在各個(gè)脈沖電流I_i的光功率，記錄每個(gè)脈沖電流I_i下的光功率P；根據(jù)光功率P記錄分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片的發(fā)光電流閾值I_th；將脈沖電流I_i時(shí)間間隔設(shè)置為5?20μs，選擇測(cè)量誤差最小作為脈沖電流I_i的時(shí)間間隔標(biāo)準(zhǔn)值，用于每次測(cè)試所施加脈沖電流I_i時(shí)間間隔。本發(fā)明在持續(xù)脈沖供電過(guò)程中，通過(guò)在分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片施加低電平的間隙使得分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片散熱，有效降低了溫度升高給測(cè)試結(jié)果帶來(lái)的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是涉及分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體激光器相關(guān)技術(shù)的飛速發(fā)展，其輸出功率越來(lái)越大，也因半導(dǎo)體激光器輸出功率大同時(shí)具有體積小、重量輕、電光轉(zhuǎn)換效率高、波長(zhǎng)范圍廣、可靠性高和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為光電行業(yè)中最有發(fā)展前途的領(lǐng)域，可廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)(主要是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和輸入輸出設(shè)備)、影視、制造業(yè)、航天、航空、材料處理、醫(yī)療、娛樂(lè)、科研、安全防護(hù)、軍事、反恐、工藝品、顯示和印刷等行業(yè)。

半導(dǎo)體激光二極管在長(zhǎng)距離應(yīng)用時(shí)，分布反饋半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)，作為載波光源是高速長(zhǎng)距離通信系統(tǒng)中必不可少的器件，而DFB-LD在未加調(diào)制和調(diào)制下激射的光譜會(huì)發(fā)生變化，這主要是由于芯片設(shè)計(jì)、解理一致性、鍍膜一致性、增益特點(diǎn)、高電流下的空間燒孔等引起的。這種變化會(huì)導(dǎo)致實(shí)際應(yīng)用時(shí)的產(chǎn)品指標(biāo)發(fā)生變化。

分布反饋半導(dǎo)體激光器的測(cè)試參數(shù)涉及到功率、波長(zhǎng)、閾值等參數(shù)，在分布反饋半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試過(guò)程中，需要給分布反饋半導(dǎo)體激光器施加由小變大的電流，當(dāng)施加的電流達(dá)到分布反饋半導(dǎo)體激光器發(fā)光閾值時(shí)，分布反饋半導(dǎo)體激光器發(fā)光，發(fā)光伴隨著半導(dǎo)體本身發(fā)熱，在施加電流的過(guò)程中分布反饋半導(dǎo)體激光器本身的溫度隨著施加電流的時(shí)間而升高，由于波長(zhǎng)對(duì)溫升的敏感，溫度升高波長(zhǎng)產(chǎn)生漂移，發(fā)光閾值也發(fā)生變化，因此各種參數(shù)測(cè)量也會(huì)伴隨著溫度的升高而出現(xiàn)測(cè)量偏差。由于分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片在供電發(fā)光的時(shí)候，會(huì)瞬間產(chǎn)生溫度大幅度升高。同時(shí)，分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片的各項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)，包括：功率、波長(zhǎng)、閾值，對(duì)溫度變化非常敏感，少量的溫度變化會(huì)導(dǎo)致各關(guān)鍵參數(shù)的大幅度變化，從而影響最終的測(cè)試結(jié)果。

目前，尚未有較好的方法解決分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中溫升對(duì)測(cè)量結(jié)果影響的方法。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供的分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法，包括以下步驟：

(1)向分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片連續(xù)施加脈沖電流I_i；

(2)施加脈沖電流0＜I_i≤100mA；

(3)施加脈沖電流I_i的時(shí)間間隔是5-20μs，脈沖電流I_i的占空比為50％；

(4)每次施加脈沖電流時(shí)，采集分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片在各個(gè)脈沖電流I_i的光功率，記錄每個(gè)脈沖電流I_i下的光功率P；

(5)根據(jù)光功率P記錄分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片的發(fā)光電流的閾值I_th；