[發(fā)明專(zhuān)利]分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810905896.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109375088A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱德明;張振峰;楊國(guó)良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢盛為芯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/28;H01S5/00
• 代理公司: 武漢維創(chuàng)品智專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42239
• 代理人: 余麗霞

1.分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)向分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片連續(xù)施加脈沖電流I_i；

(2)施加脈沖電流0＜I_i≤100mA；

(3)施加脈沖電流I_i的時(shí)間間隔是5-20μs，脈沖電流I_i的占空比為50％；

(4)每次施加脈沖電流時(shí)，采集分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片在各個(gè)脈沖電流I_i的光功率，記錄每個(gè)脈沖電流I_i下的光功率P；

(5)根據(jù)光功率P記錄分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片的發(fā)光電流的閾值I_th；

(6)將脈沖電流I_i的時(shí)間間隔設(shè)置為5-20μs，將該范圍內(nèi)的時(shí)間間隔測(cè)試的發(fā)光電流的閾值I_th與標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光電流的閾值相比較，選擇測(cè)量誤差最小作為脈沖電流I_i的時(shí)間間隔標(biāo)準(zhǔn)值，用于每次的分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試施加脈沖電流I_i時(shí)間間隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法，其特征在于，脈沖電流I_i的時(shí)間間隔是5-10μs。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布反饋半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試過(guò)程中降低溫升影響方法，其特征在于，采集半導(dǎo)體激光器發(fā)光單元的光功率P是通過(guò)發(fā)光單元放大元件和光收集器實(shí)現(xiàn)，發(fā)光單元放大元件為透鏡系統(tǒng)，光收集器為光纖。