[發明專利]一種凹形光阻涂布的制作過程有效
| 申請號: | 201810903832.2 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109078813B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 洪文慶 | 申請(專利權)人: | 銳捷光電科技(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | B05D1/00 | 分類號: | B05D1/00;B05D1/02;B05D3/00;B05D3/04;B05D7/00;B05D5/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 凹形 光阻涂布 制作 過程 | ||
本發明公開了一種凹形光阻涂布的制作過程,包括如下步驟:步驟1:先將藍寶石芯片放置在電漿清洗機腔體內部,利用氧電漿去除表面有機物質與改變電荷分布狀態;步驟2:在進行光阻涂布之前,將附著劑噴涂至藍寶石芯片表面;增加藍寶石芯片對光阻附著力,對附著劑進行二次涂布噴涂達到穩定膜厚分布的效果;涂布完附著劑并旋轉藍寶石芯片;步驟3:進行第一次噴涂光阻;光阻噴頭置于藍寶石芯片中心進行噴涂;步驟5:光阻噴頭移至距藍寶石芯片中心點250mm處,進行第二次光阻噴涂;步驟6:將旋轉轉速提升至2000~3000rpm用噴槍藍寶石芯片去除多余光阻,沖洗藍寶石芯片背面去除多余光阻;本發明制作的藍寶石芯片上光阻為中間薄外圍厚的分布狀態。
技術領域
本發明涉及一種凹形光阻涂布的制作過程,屬于航標設備技術領域。
背景技術
通常,GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優點:首先,藍寶石襯底的生產技術成熟、器件質量較好;其次,藍寶石的穩定性很好,能夠運用在高溫生長過程中;最后,藍寶石的機械強度高,易于處理和清洗。因此,大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。
藍寶石的硬度非常高,在自然材料中其硬度僅次于金剛石,但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進行減薄和切割(從400μm減到100μm左右)。
現有技術中到藍寶石芯片上光阻為均勻分布的狀態。在蝕刻機進行干蝕刻時,乘載芯片的托盤因熱效應,所造成的成品圖形高度由內向外均勻沒有層次感覺,制作出來的藍寶石芯片涂布層高度差異比較大。制作出來的藍寶石芯片整體均勻性不好。
發明內容
本發明要解決的現有技術中到藍寶石芯片上光阻為均勻分布的狀態。在蝕刻機進行干蝕刻時,乘載芯片的托盤因熱效應,所造成的成品圖形高度由內向外均勻沒有層次感覺。制作出來的藍寶石芯片整體均勻性不好的技術問題是克服現有技術功能不夠完善的缺陷,提供一種凹形光阻涂布的制作過程。
為了解決上述技術問題,本發明提供了如下的技術方案:
設計一種凹形光阻涂布的制作過程,包括如下步驟:
步驟1:先將藍寶石芯片放置在電漿清洗機腔體內部,利用氧電漿去除表面有機物質與改變電荷分布狀態;用以改善藍寶石芯片對光阻附著力,對抗進行凹形光阻涂布制作時,因旋轉轉速劇烈變化造成的光阻厚度不穩定性;
步驟2:在進行光阻涂布之前,將附著劑噴涂至藍寶石芯片表面;增加藍寶石芯片對光阻附著力,對附著劑進行二次涂布噴涂達到穩定膜厚分布的效果;涂布完附著劑并旋轉藍寶石芯片;
步驟3:進行第一次噴涂光阻;光阻噴頭置于藍寶石芯片中心進行噴涂,旋轉轉速達至6000~8000rpm;
步驟4:步驟3完成之后旋轉轉速降至300~500rpm,持續的時間為1~3秒;
步驟5:光阻噴頭移至距藍寶石芯片中心點250mm處,進行第二次光阻噴涂,光阻噴頭置于距藍寶石芯片中心250mm處;
步驟6:將旋轉轉速提升至2000~3000rpm用噴槍藍寶石芯片去除多余光阻,沖洗藍寶石芯片背面去除多余光阻;
步驟7:然后藍寶石芯片在常溫環境下進行冷卻;
步驟8:將涂布完成藍寶石芯片放置電爐內部進行軟烤步驟,結束軟烤步驟后再放置冷盤中進行冷卻即可完成凹光阻涂布制程。
優選的,所述步驟5的噴涂速度為一秒內噴出0.8cc的光阻液,旋轉轉速為1000~1500rpm。
優選的,所述步驟3和步驟4的噴涂速度均為:0.5秒內噴出1.2cc的光阻液。
優選的,所述步驟2中附著劑的型號為BAOCH水性附著劑。
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