[發(fā)明專利]一種變焦曝光方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810902950.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN108919613B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪文慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 銳捷光電科技（江蘇）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種變焦曝光方法，包括以下步驟：步驟1、將涂布完成光阻后的藍(lán)寶石晶圓放置曝光機(jī)待曝，使2次曝光時(shí)晶圓固定在相同位置，避免位移時(shí)2次曝光位置不同造成圖形失焦；步驟2、進(jìn)行2次曝光前，確認(rèn)曝光機(jī)單次曝光時(shí)適用的能量時(shí)間、可用之焦距景深范圍、適用曝光能量與中心焦距；步驟3、確認(rèn)適用曝光能量及中心焦距后可開始進(jìn)行2次曝光變焦，首先進(jìn)行首次曝光；步驟4、完成首次曝光后，進(jìn)行第2次變焦曝光；步驟5、完成變焦曝光后，退出藍(lán)寶石晶圓；本發(fā)明在曝光機(jī)進(jìn)行曝光時(shí)，于可用的景深范圍內(nèi)進(jìn)行2次變焦曝光，能夠明顯提升后段蝕刻效率，值得大力推廣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種變焦曝光方法。

背景技術(shù)

干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干蝕刻采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成蝕刻的目的。干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學(xué)反應(yīng)」(chemicalreaction)兩部份蝕刻機(jī)制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏「化學(xué)反應(yīng)」效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團(tuán)，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。

干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，不必另行成長(zhǎng)阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其最重要的優(yōu)點(diǎn)，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高蝕刻率兩種優(yōu)點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻前需要進(jìn)行曝光，現(xiàn)有的方法是采用一次曝光，蝕刻電漿對(duì)晶圓表面進(jìn)行蝕刻時(shí)具有的角度較小，蝕刻效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種于可用的景深范圍內(nèi)進(jìn)行2次變焦曝光，利用光照射于光阻上2次聚焦點(diǎn)不同，入射角做些微變化，使顯影后能獲得光阻斜面較明顯的梯型角度，用以提升后段蝕刻效率的變焦曝光方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種變焦曝光方法，包括以下步驟：

步驟1、將涂布完成光阻后的藍(lán)寶石晶圓放置曝光機(jī)待曝，使2次曝光時(shí)晶圓固定在相同位置，避免位移時(shí)2次曝光位置不同造成圖形失焦；

步驟2、進(jìn)行2次曝光前，確認(rèn)曝光機(jī)單次曝光時(shí)適用的能量時(shí)間、可用之焦距景深范圍、適用曝光能量與中心焦距；

步驟3、確認(rèn)適用曝光能量及中心焦距后可開始進(jìn)行2次曝光變焦，首先進(jìn)行首次曝光；

步驟4、完成首次曝光后，進(jìn)行第2次變焦曝光；

步驟5、完成變焦曝光后，退出藍(lán)寶石晶圓。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述步驟1中使2次曝光時(shí)晶圓固定在相同位置的方法是：在曝光機(jī)上選擇Execute process將operation模式更改為No change。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述步驟2中確認(rèn)曝光機(jī)單次曝光時(shí)適用的能量時(shí)間、可用之焦距景深范圍、適用曝光能量與中心焦距的方法是：針對(duì)進(jìn)行變焦曝光的曝光機(jī)以test模式各別做出不同曝光能量時(shí)間及各別焦距的矩陣圖形。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述步驟2中曝光機(jī)的可用之焦距景深范圍共有1.2um，以一半0.6um處作為中心焦距。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述步驟3中首次曝光使用原適用能量的6成曝光時(shí)間，焦距設(shè)定為中心焦距+0.5um，聚焦于晶圓中心向下0.5um的位置。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述步驟4中第2次變焦曝光設(shè)定曝光使用原能量的3成曝光時(shí)間，焦距設(shè)定為中心焦距-0.3um，聚焦于晶圓中心向上0.3um的位置。