[發明專利]一種SE電池的制備方法有效
| 申請號: | 201810902147.8 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109192811B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 吳兢;杜歡;趙興國 | 申請(專利權)人: | 江蘇輝倫太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210061 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 se 電池 制備 方法 | ||
本發明公開了一種SE電池的制備方法,包括以下步驟:表面處理;設計選擇性區域;制備低濃度擴散及高濃度擴散;清洗、蝕刻;鍍膜;印刷;燒結。本發明使用SE工藝匹配無鉛漿料,分別對鍍膜工藝及印刷工藝進行改進;在鍍膜段,通過設計帶圖形石墨板保證鍍膜過程中高濃度擴散區域不鍍膜;在印刷段,未鍍膜區域可直接使用無鉛漿料印刷,相比傳統電池技術,不僅提高了電池轉換效率,還降低了有鉛漿料的使用,且方法便捷可行可產業化,具有非常大的經濟效益和社會效益。
技術領域
本發明涉及一種SE電池的制備方法,屬于太陽能電池技術領域。
背景技術
相對于傳統選擇性發射(SE)電池制備工藝,其鍍膜和印刷方法與常規電池工藝基本一致,鍍膜均為硅片整面均勻鍍膜,以便確保硅片表面的鈍化及減反射效果,故在印刷段,為了使銀漿與硅片表面形成很好的歐姆接觸,銀漿中的含鉛玻璃體至關重要,其可以穿透氮化硅層,故目前光伏行業的電池制備廠家均是使用有鉛漿料進行印刷,是目前光伏電池制造業的一個非常大的環境及職業危害源,為了盡可能的降低有鉛漿料的使用,目前行業內也有開發一些無鉛漿料,但是在使用中會明顯降低電池片的轉換效率。
本發明的制備方法適用于SE電池,利用SE電池選擇性發射極的特性,在鍍膜段通過設計帶圖形石墨板保證鍍膜過程中高濃度擴散區域不鍍膜,在印刷段此未鍍膜區域可直接使用無鉛漿料印刷,相比傳統電池技術,不僅提高了電池轉換效率,還降低了有鉛漿料的使用,且方法便捷可行可產業化,具有非常大的經濟效益和社會效益。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷,提供一種SE電池的制備方法,既能保證電池片的轉換效率,又能降低有鉛漿料的使用。
為解決上述技術問題,本發明提供一種SE電池的制備方法,包括以下步驟:
(1)表面處理:對硅片表面進行處理,包括硅片表面清洗及制絨;
(2)設計選擇性區域:通過使用掩膜圖形涂覆或者激光處理的方法進行選擇性區域的設計;
(3)制備低濃度擴散及高濃度擴散:通過擴散或離子注入方式進行低濃度擴散及高濃度擴散的制備;
(4)清洗、蝕刻:對擴散產生的磷硅玻璃清洗,用化學試劑對硅片進行刻蝕;
(5)鍍膜:通過在石墨舟中硅片上加蓋一層石墨板,對選擇性發射極中低濃度擴散區域進行鍍膜,高濃度擴散區域不進行此鍍膜;
(6)印刷:未鍍膜的高濃度區域使用無鉛銀漿進行印刷,銀漿與硅片直接接觸,低濃度區域使用有鉛漿料進行副柵線印刷;
(7)燒結:對硅片進行燒結測試分檔。
優選地,所述其石墨板的厚度為1-60 mm。
優選地,所述石墨板圖案與高濃度擴散區域相同。
優選地,所述鍍膜厚度為80-100 nm。
優選地,所述鍍膜折射率為2.06-2.14。
優選地,所述高濃度擴散區域的擴散方阻為20-100 Ω,所述低濃度擴散區域的擴散方阻為50-150 Ω。
本發明所達到的有益效果:本發明使用SE工藝匹配無鉛漿料,分別對鍍膜工藝及印刷工藝進行改進;在鍍膜段,通過設計帶圖形石墨板保證鍍膜過程中高濃度擴散區域不鍍膜;在印刷段,未鍍膜區域可直接使用無鉛漿料印刷,相比傳統電池技術,不僅提高了電池轉換效率,還降低了有鉛漿料的使用,且方法便捷可行可產業化,具有非常大的經濟效益和社會效益。
具體實施方式
下面對本發明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
實施例1
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





