[發(fā)明專利]一種SE電池的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810902147.8 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109192811B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳兢;杜歡;趙興國 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇輝倫太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210061 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 se 電池 制備 方法 | ||
1.一種SE電池的制備方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)表面處理:對硅片表面進(jìn)行處理,包括硅片表面清洗及制絨;
(2)設(shè)計選擇性區(qū)域:通過使用掩膜圖形涂覆或者激光處理的方法進(jìn)行選擇性區(qū)域的設(shè)計;
(3)制備低濃度擴散及高濃度擴散:通過擴散或離子注入方式進(jìn)行低濃度擴散及高濃度擴散的制備;
(4)清洗、蝕刻:對擴散產(chǎn)生的磷硅玻璃清洗,用化學(xué)試劑對硅片進(jìn)行刻蝕;
(5)鍍膜:通過在石墨舟中硅片上加蓋一層石墨板,對選擇性發(fā)射極中低濃度擴散區(qū)域進(jìn)行鍍膜,高濃度擴散區(qū)域不進(jìn)行此鍍膜;
(6)印刷:未鍍膜的高濃度擴散區(qū)域使用無鉛銀漿進(jìn)行印刷,銀漿與硅片直接接觸,低濃度擴散區(qū)域使用有鉛漿料進(jìn)行副柵線印刷;
(7)燒結(jié):對硅片進(jìn)行燒結(jié)測試分檔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE電池的制備方法,其特征是,所述石墨板的厚度為1-60 mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SE電池的制備方法,其特征是,所述石墨板的圖案與高濃度擴散區(qū)域相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE電池的制備方法,其特征是,所述鍍膜的厚度為80-100 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE電池的制備方法,其特征是,所述鍍膜的折射率為2.06-2.14。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SE電池的制備方法,其特征是,所述高濃度擴散區(qū)域的擴散方阻為20-100 Ω,所述低濃度擴散區(qū)域的擴散方阻為50-150 Ω。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





