[發明專利]一種利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法

有效

• 申請號: 201810901846.0
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109270082B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 沙彥文;董長海;柯小龍;周小淵;郝艷玲;陳鋒;蘇波
• 申請（專利權）人: 寧夏中晶半導體材料有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95
• 代理公司: 銀川長征知識產權代理事務所 64102
• 代理人: 馬長增;姚源

1.一種利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法，其特征在于，包括了以下具體步驟：

a.在已滾磨晶棒端頭截取一片單晶硅樣片，并標記單晶硅樣片與晶棒相對應的位置，以及標記單晶硅樣片的測試面；

b.將單晶硅樣片的測試面化學剖光至鏡面，在中心部位用金剛砂做噴砂處理，然后使用拋光液輕微的酸洗處理干凈表面的砂粒；

c.將處理好的單晶硅樣片裝入花籃中浸入腐蝕液池中，不斷擺動花籃，持續腐蝕處理10-40分鐘；

d.將腐蝕處理好的單晶硅樣片從腐蝕液中取出，利用純水全方位沖洗10-15次；

e.將沖洗完畢的單晶硅樣片放在氮氣下通風干燥處理至表面水漬吹干；

f.將干燥處理好的單晶硅樣片放置在顯微鏡的物鏡臺上，調節顯微鏡使視場顯示出單晶硅樣片表面的缺陷形態，缺陷形態一般為方向相同的三角形或方向相同的菱形或方向相同的矩形，按照缺陷形態形狀畫出相應方向相同的標示線；

g.根據單晶硅樣片表面的缺陷形態，畫出單晶硅樣片的宏觀晶線，三角形缺陷形態單晶硅樣片沿三角形標示線的三個頂點分別做中垂線與測試面邊緣相交，即為單晶硅樣片的三角形缺陷形態晶線；菱形缺陷形態單晶硅樣片沿菱形標示線兩個較遠相對的對角線通長畫線即為單晶硅樣片的菱形缺陷形態晶線；矩形缺陷形態單晶硅樣片沿矩形標示線對角線通長畫線即為單晶硅樣片的矩形缺陷形態晶線；

h.將畫好晶線的單晶硅樣片對應到相應的單晶硅棒上，畫出相應單晶硅棒的宏觀晶線。

2.如權利要求1 所述的利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法，其特征在于：所述步驟c中的腐蝕液的配比，具體摩爾比為：氫氟酸：檸檬酸=12.5-20:1-3；其中檸檬酸為HOOCCH2C(OH)(COOH)CH2COOH，氫氟酸為HF。

3.如權利要求1 所述的利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法，其特征在于：所述步驟c中的腐蝕時間，三角形缺陷形態的單晶硅樣片腐蝕時間為10-15分鐘，菱形缺陷形態的單晶硅樣片腐蝕時間為30-40分鐘，矩形缺陷形態的單晶硅樣片腐蝕時間為30分鐘以上。

4.如權利要求1 所述的利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法，其特征在于：所述步驟c中的花籃為專門用于單晶硅酸洗工藝使用的酸洗框。