[發明專利]半導體存儲器件

在審

• 申請號: 201810901544.3
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109390340A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 金熙中;趙珉熙;金奉秀;金俊秀;山田悟;李元錫;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

提供了半導體存儲器件。一種半導體存儲器件包括在第一溝槽中的隔離層和在隔離層上的第一柵電極部分。該半導體存儲器件包括在第二溝槽中的第二柵電極部分。在一些實施方式中，第二柵電極部分在一方向上比第一柵電極部分寬。而且，在一些實施方式中，第二溝槽的上部區域比第二溝槽的下部區域在所述方向上與第一溝槽間隔開更大的距離。還提供了形成半導體存儲器件的相關方法。

技術領域

本公開涉及半導體存儲器件。

背景技術

由于其小尺寸、多功能和/或低成本特性，半導體器件被認為是電子產業中的重要元件。半導體器件(諸如半導體存儲器件)的更高集成可有利于滿足消費者對優良性能和低廉價格的需求。就半導體存儲器件而言，增加的集成可以是特別有利的，因為其集成會是決定產品價格的重要因素。然而，用于增加圖案精細度的極端昂貴的工藝設備會對為半導體存儲器件增加集成設定實際限制。為了克服這樣的限制，已經進行了關于用來增加半導體器件的集成密度的新技術的各種研究。

發明內容

本發明構思的一些實施方式提供了具有增加的集成密度和改善的電特性的半導體存儲器件及其制造方法。

根據本發明構思的一些實施方式，一種半導體存儲器件可以包括襯底。該半導體存儲器件可以包括限定襯底的有源區域的器件隔離層。該半導體存儲器件可以包括柵極線結構，柵極線結構包括埋入襯底的溝槽中以跨越有源區域的柵極絕緣層和柵電極。溝槽可以包括在器件隔離層上的第一溝槽部分和在有源區域上的第二溝槽部分。而且，在第二溝槽部分中，柵極絕緣層可以重疊柵電極的頂表面。

根據本發明構思的一些實施方式，一種半導體存儲器件可以包括襯底。該半導體存儲器件可以包括限定襯底的有源區域的器件隔離層。該半導體存儲器件可以包括埋入襯底中的溝槽中以跨越有源區域的柵極線結構。柵極線結構可以包括溝槽中的柵極絕緣層和柵電極。柵電極可以包括在器件隔離層上的第一電極部分和在有源區域上的第二電極部分。而且，第二電極部分可以比第一電極部分寬。

根據本發明構思的一些實施方式，一種形成半導體存儲器件的方法包括在襯底中形成器件隔離層以限定有源區域。該方法可以包括形成跨越有源區域的溝槽。溝槽可以包括暴露器件隔離層的第一溝槽部分和暴露有源區域的第二溝槽部分。而且，該方法可以包括在溝槽中順序地形成柵極絕緣層和柵電極層。每個第二溝槽部分可以包括上溝槽和比上溝槽寬的下溝槽。所述順序地形成可以包括在上溝槽中形成柵極絕緣層以限定下溝槽中的柵極區域。所述順序地形成還可以包括通過第一溝槽部分在柵極區域中形成柵電極層。

根據本發明構思的一些實施方式，一種半導體存儲器件可以包括襯底，襯底在其中包括第一溝槽和第二溝槽。該半導體存儲器件可以包括在第一溝槽中的隔離層。該半導體存儲器件可以包括在第一溝槽中的隔離層中的第一柵電極部分。而且，該半導體存儲器件可以包括在第二溝槽中的第二柵電極部分。第二溝槽可以沒有隔離層。第二柵電極部分可以在一方向上比第一柵電極部分寬。第二溝槽的上部區域可以比第二溝槽的下部區域在所述方向上與第一溝槽間隔開更大的距離。

附圖說明

示例實施方式將由以下結合附圖的簡要描述被更清楚地理解。附圖顯示了如這里描述的非限制性的示例實施方式。

圖1是根據本發明構思的一些實施方式的半導體存儲器件的俯視圖。

圖2是示出沿圖1的線A-A'和B-B'截取的剖面的剖視圖。

圖3至圖11是被提供以描述根據本發明構思的一些實施方式的制造半導體存儲器件的方法并且每個示出沿圖1的線A-A'和B-B'截取的剖面的剖視圖。

圖12是示出根據本發明構思的一些實施方式的半導體存儲器件的剖視圖。

圖13至圖16是示出根據本發明構思的一些實施方式的半導體存儲器件及其制造方法的剖視圖。