[發明專利]半導體存儲器件

在審

• 申請號: 201810901544.3
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109390340A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 金熙中;趙珉熙;金奉秀;金俊秀;山田悟;李元錫;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體存儲器件，包括：

襯底；

器件隔離層，其限定所述襯底的有源區域；以及

柵極線結構，其包括埋入所述襯底的溝槽中以跨越所述有源區域的柵極絕緣層和柵電極，

其中所述溝槽包括在所述器件隔離層上的第一溝槽部分和在所述有源區域上的第二溝槽部分，以及

其中，在所述第二溝槽部分中，所述柵極絕緣層重疊所述柵電極的頂表面。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第二溝槽部分的每個包括上溝槽和下溝槽，所述上溝槽包括第一寬度，所述下溝槽包括比所述第一寬度寬的第二寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，在所述第二溝槽部分中，所述柵電極在所述下溝槽中，并且所述柵極絕緣層包圍所述柵電極。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器件，其中所述柵極絕緣層在所述上溝槽中，并且所述上溝槽沒有所述柵電極。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述柵極線結構還包括在所述柵電極的所述頂表面上在所述第一溝槽部分中的蓋絕緣圖案。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，在所述第一溝槽部分中，所述蓋絕緣圖案在由所述柵極絕緣層的內側表面和所述柵電極的所述頂表面限定的區域中。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中在俯視圖中，所述蓋絕緣圖案中相鄰的第一蓋絕緣圖案和第二蓋絕緣圖案通過所述有源區域中的一個彼此間隔開。

8.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中所述蓋絕緣圖案和所述柵極絕緣層沿著所述柵極線結構的頂表面交替地布置。

9.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，

其中所述蓋絕緣圖案包括第一蓋絕緣圖案和第二蓋絕緣圖案，在所述溝槽延伸的第一方向上，所述第一蓋絕緣圖案包括第一寬度，所述第二蓋絕緣圖案包括比所述第一寬度窄的第二寬度，以及

其中所述第一蓋絕緣圖案和所述第二蓋絕緣圖案在所述第一方向上彼此交替。

10.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中所述柵電極在所述蓋絕緣圖案之間朝向所述襯底的頂表面突出。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括在所述柵極絕緣層的外側表面上的間隔物，

其中，在所述第一溝槽部分中，所述間隔物通過所述柵極絕緣層與所述柵電極水平地間隔開，以及

其中，在所述第二溝槽部分中，所述間隔物的底表面通過所述柵極絕緣層與所述柵電極的所述頂表面垂直地間隔開。

12.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，

其中所述柵電極包括在所述第一溝槽部分中的第一電極部分和在所述第二溝槽部分中的第二電極部分，以及

其中所述第二電極部分的頂表面位于比所述第一電極部分的頂表面離所述襯底的頂表面更近的水平處。

13.根據權利要求12所述的半導體存儲器件，其中所述第二電極部分的所述頂表面分別包括圓化的表面。

14.根據權利要求12所述的半導體存儲器件，其中所述第二電極部分比所述第一電極部分寬。

15.根據權利要求12所述的半導體存儲器件，其中所述第二電極部分包括朝向所述襯底的所述頂表面突出的突出部分。

16.根據權利要求15所述的半導體存儲器件，其中所述突出部分包括摻雜硅。