[發明專利]扇出型傳感器封裝件有效
| 申請號: | 201810901433.2 | 申請日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN109935603B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 鄭夏龍;李在杰;禹性澤;沈智慧;金東振;趙漢相;崔云河;崔在民 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 汪喆;馬金霞 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 扇出型 傳感器 封裝 | ||
本發明提供一種扇出型傳感器封裝件,所述扇出型傳感器封裝件包括:傳感器芯片,具有第一連接焊盤和光學層;包封劑,包封所述傳感器芯片的至少部分;連接構件,設置在所述傳感器芯片和所述包封劑上,并包括電連接到所述第一連接焊盤的重新分布層;通布線,貫穿所述包封劑并電連接到所述重新分布層;以及電連接結構,設置在所述包封劑的與所述包封劑的設置有所述連接構件的一個表面背對的另一表面上并電連接到所述通布線,其中,所述傳感器芯片和所述連接構件彼此物理地分開預定距離,并且所述第一連接焊盤和所述重新分布層通過設置在所述傳感器芯片和所述連接構件之間的第一連接器彼此電連接。
本申請要求于2017年12月15日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0173581號韓國專利申請的優先權的權益,所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。
技術領域
本公開涉及一種在相機模塊中使用的扇出型傳感器封裝件。
背景技術
在被使用在諸如智能電話或平板個人計算機(PC)的移動產品中的裝置的封裝技術中,已持續地需求封裝件的小型化和性能的改善。也就是說,已進行了以小尺寸制造封裝件且在同一空間中添加更多功能的努力。具體地,對于具有附加功能的組件而不是主要組件的小型化的需求已增加。例如,對于在相機模塊等中使用的圖像傳感器封裝件的小型化和性能改善的需求已增加。
發明內容
本公開的一方面可提供一種能夠小型化、改善性能、簡化工藝以及改善可靠性的扇出型傳感器封裝件。
根據本公開的一方面,可提供一種扇出型傳感器封裝件,在扇出型傳感器封裝件中,包括重新分布層的連接構件形成在光學構件上,傳感器芯片使用單獨的連接器被表面安裝在連接構件上,傳感器芯片被包封劑包封,以及形成有貫穿包封劑的通布線且通布線電連接到形成在包封劑下方的電連接結構。在這種情況下,封閉傳感器芯片的光接收單元的結構可使用光學構件作為覆蓋層來實現,而無需使光學構件分離。另外,可認為的是,存儲器芯片與通過應用上述內容的傳感器芯片并排設置,傳感器芯片和存儲器芯片被包封劑包封且通過連接構件的重新分布層彼此電連接。
根據本發明的一方面,一種扇出型傳感器封裝件可包括:傳感器芯片,具有設置有第一連接焊盤和光學層的第一表面和與所述第一表面背對的第二表面;包封劑,包封所述傳感器芯片的至少部分;連接構件,設置在所述傳感器芯片的所述第一表面和所述包封劑上,并包括電連接到所述第一連接焊盤的重新分布層;通布線,貫穿所述包封劑并電連接到所述重新分布層;以及電連接結構,設置在所述包封劑的與所述包封劑的設置有所述連接構件的一個表面背對的另一表面上并電連接到所述通布線,其中,所述傳感器芯片和所述連接構件彼此物理地分開預定距離,并且所述第一連接焊盤和所述重新分布層通過設置在所述傳感器芯片和所述連接構件之間的第一連接器彼此電連接。在這種情況下,所述第一連接器可包括熔點比被包括在所述第一連接焊盤和所述重新分布層中的每種金屬的熔點低的低熔點金屬,并且所述低熔點金屬可包括錫(Sn)。同時,諸如玻璃承載件的光學構件可設置在所述連接構件的與所述連接構件的設置有所述包封劑和所述傳感器芯片的一個表面背對的另一表面上。另外,存儲器芯片可與所述傳感器芯片并排設置,所述存儲器芯片具有設置有第二連接焊盤的第一表面和與所述第一表面背對的第二表面,所述存儲器芯片的至少部分可被所述包封劑包封,并且所述第二連接焊盤和所述重新分布層可通過設置在所述存儲器芯片和所述連接構件之間的第二連接器彼此電連接,使得所述第一連接焊盤和所述第二連接焊盤可通過所述重新分布層彼此電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





