[發明專利]扇出型傳感器封裝件

有效

• 申請號: 201810901433.2
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109935603B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 鄭夏龍;李在杰;禹性澤;沈智慧;金東振;趙漢相;崔云河;崔在民
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 汪喆;馬金霞

1.一種扇出型傳感器封裝件，包括：

傳感器芯片，具有第一表面和與所述第一表面背對的第二表面，第一連接焊盤和光學層設置在所述第一表面上；

包封劑，包封所述傳感器芯片的至少部分；

連接構件，設置在所述傳感器芯片的所述第一表面和所述包封劑上，并包括電連接到所述第一連接焊盤的第一重新分布層；

通布線，貫穿所述包封劑并電連接到所述第一重新分布層；以及

電連接結構，設置在所述包封劑的與所述包封劑的設置有所述連接構件的一個表面背對的另一表面上并電連接到所述通布線，

其中，所述傳感器芯片和所述連接構件彼此物理地分開預定距離，并且

所述第一連接焊盤和所述第一重新分布層通過設置在所述傳感器芯片和所述連接構件之間的第一連接器彼此電連接，

其中，所述連接構件還包括：絕緣層，其上設置有所述第一重新分布層；第二重新分布層，設置在所述絕緣層的與設置有所述第一重新分布層的表面相對的表面處；以及過孔，貫穿所述絕緣層并且使所述第一重新分布層和所述第二重新分布層彼此電連接，并且，

其中，所述第一重新分布層設置在所述過孔和所述第一連接器之間。

2.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述第一連接器包括熔點比被包括在所述第一連接焊盤和所述第一重新分布層中的每種金屬的熔點低的低熔點金屬。

3.根據權利要求2所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述低熔點金屬包括錫。

4.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述第一連接器為焊球。

5.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，所述扇出型傳感器封裝件還包括光學構件，所述光學構件設置在所述連接構件的與所述連接構件的設置有所述包封劑和所述傳感器芯片的第一表面背對的第二表面上。

6.根據權利要求5所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述光學構件為玻璃承載件。

7.根據權利要求5所述的扇出型傳感器封裝件，所述扇出型傳感器封裝件還包括設置在所述光學構件的第一表面上的紅外阻截涂層。

8.根據權利要求7所述的扇出型傳感器封裝件，所述扇出型傳感器封裝件還包括屏障層，所述屏障層設置在所述光學構件的與所述光學構件的所述第一表面背對的第二表面上，

其中，所述屏障層設置在所述光學構件和所述連接構件之間。

9.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述包封劑不覆蓋所述傳感器芯片的所述光學層，并且

所述連接構件具有使所述光學層暴露的開口。

10.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，所述扇出型傳感器封裝件還包括覆蓋所述第一連接器的至少一部分的底部填充樹脂。

11.根據權利要求1所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述傳感器芯片包括邏輯裸片和設置在所述邏輯裸片上的傳感器裸片，

所述傳感器芯片的第一側為所述傳感器裸片側，并且

所述傳感器芯片的第二側為所述邏輯裸片側。

12.根據權利要求11所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述傳感器裸片為互補金屬氧化物半導體圖像傳感器型傳感器裸片。

13.根據權利要求11所述的扇出型傳感器封裝件，其中，所述邏輯裸片和所述傳感器裸片通過硅通孔彼此電連接。