[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201810900302.2
• 申請日: 2018-08-09
• 公開（公告）號: CN109411412A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 森數洋司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供晶片的加工方法，能夠在單晶硅晶片中形成適當的盾構隧道，能夠通過盾構隧道形成與等離子蝕刻的復合加工將單晶硅晶片分割成各個器件。晶片的加工方法包含：保護部件配設工序，在晶片(2)的正面(2a)上配設保護部件；盾構隧道形成工序，從晶片(2)的背面(2b)對與分割預定線(4)對應的區域照射對于單晶硅具有透過性的波長的激光光線(LB)為連續地形成多個盾構隧道(56)，該盾構隧道(56)由從背面(2b)至正面(2a)的細孔(52)和圍繞細孔(52)的非晶質(54)構成；以及分割工序，通過等離子蝕刻對盾構隧道(56)進行蝕刻而將晶片(2)分割成各個器件芯片，將盾構隧道形成工序中所使用的激光光線(LB)的波長設定為1950nm以上。

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，將由交叉的多條分割預定線劃分而在單晶硅基板的正面形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片。

背景技術

由交叉的多條分割預定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個器件的晶片通過激光加工裝置分割成各個器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移動電話、個人計算機等電氣設備。

激光加工裝置存在下述(1)至(3)的類型。

類型(1)：將對于被加工物具有吸收性的波長的激光光線的聚光點定位在被加工物的上表面上而對被加工物照射激光光線，通過燒蝕形成作為分割的起點的槽(例如，參照專利文獻1)。

類型(2)：將對于被加工物具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于被加工物的內部而對被加工物照射激光光線，在被加工物的內部形成作為分割的起點的改質層(例如，參照專利文獻2)。

類型(3)：將對于被加工物具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于被加工物的內部而對被加工物照射激光光線，形成作為分割的起點的多個盾構隧道，該盾構隧道由從被加工物的正面至背面的細孔和圍繞細孔的非晶質構成(例如，參照專利文獻3)。

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特許第3408805號公報

專利文獻3：日本特開2014-221483號公報

上述的(2)或(3)的方法具有如下的優點：當在實施激光加工而形成分割起點之后實施等離子蝕刻而將晶片分割成各個器件時，能夠產生抗彎強度高的器件。

但是，在上述專利文獻3公開的技術中，雖然能夠在以藍寶石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為原材料的晶片中適當形成盾構隧道，但是存在下述問題：無法在以單晶硅作為原材料的晶片中形成適當的盾構隧道，因此無法通過盾構隧道形成與等離子蝕刻的復合加工而將單晶硅晶片分割成各個器件芯片。

另外，對于單晶硅晶片，雖然通過上述專利文獻2公開的技術能夠在分割預定線的內部形成改質層，但是存在下述問題：在分割預定線的上表面上層疊有TEG等金屬膜或被稱為Low-k膜的低介電常數絕緣體被膜的情況下，在改質層形成與等離子蝕刻的復合加工中也無法將單晶硅晶片分割成各個器件芯片。

認為若能夠對單晶硅晶片形成適當的盾構隧道，則也能夠對層疊在分割預定線的上表面上的金屬膜或Low-k膜形成細孔，因此能夠通過盾構隧道形成與等離子蝕刻的復合加工將單晶硅晶片分割成各個器件。

發明內容

由此，本發明的目的在于提供晶片的加工方法，能夠在單晶硅晶片中形成適當的盾構隧道，能夠通過盾構隧道形成與等離子蝕刻的復合加工將單晶硅晶片分割成各個器件芯片。