[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810900302.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN109411412A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森數(shù)洋司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種晶片的加工方法，將由交叉的多條分割預(yù)定線劃分而在單晶硅基板的正面上形成有多個(gè)器件的晶片分割成各個(gè)器件芯片，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：

保護(hù)部件配設(shè)工序，在晶片的正面上配設(shè)保護(hù)部件；

盾構(gòu)隧道形成工序，在實(shí)施了該保護(hù)部件配設(shè)工序之后，從晶片的背面對(duì)與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射對(duì)于單晶硅具有透過性的波長的激光光線而連續(xù)地形成多個(gè)盾構(gòu)隧道，該盾構(gòu)隧道由從背面至正面的細(xì)孔和圍繞該細(xì)孔的非晶質(zhì)構(gòu)成；以及

分割工序，在實(shí)施了該盾構(gòu)隧道形成工序之后，通過等離子蝕刻對(duì)該盾構(gòu)隧道進(jìn)行蝕刻而將晶片分割成各個(gè)器件芯片，

將該盾構(gòu)隧道形成工序中所使用的激光光線的波長設(shè)定為1950nm以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在該盾構(gòu)隧道形成工序中，按照使會(huì)聚激光光線的聚光透鏡的數(shù)值孔徑除以單晶硅的折射率而得的值為0.05～0.2的范圍的方式設(shè)定該聚光透鏡的數(shù)值孔徑。