[發(fā)明專利]一種晶元破片分析裝置及其晶元破片分析方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810897300.2 | 申請日: | 2018-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN110823915B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙瓊;楊翼虎;何毓緯;孫鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/95 | 分類號: | G01N21/95 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王華英 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 破片 分析 裝置 及其 方法 | ||
本發(fā)明公開一種晶元破片分析裝置及其晶元破片分析方法,所述晶元破片分析裝置包括:帶有圓形凹槽的破片記錄儀,圓形凹槽內(nèi)可承載晶元,所述圓形凹槽的外邊緣處設(shè)置有至少一個目視模塊,所述目視模塊包括設(shè)置于所述圓形凹槽的上邊緣處的凸透鏡,凸透鏡的外側(cè)設(shè)置有平面鏡,所述晶元破片分析裝置還包括托盤模塊,托盤模塊包括底座和托盤。本發(fā)明在凸透鏡的外側(cè)增加45°平面鏡,將放大后的圖像利用反射原理投射到目視區(qū),人員可以在目視區(qū)直觀的看到撞擊點(diǎn)。本發(fā)明能夠準(zhǔn)確判斷導(dǎo)致破片位置的接觸點(diǎn),能夠精確針對機(jī)臺部件進(jìn)行改善,節(jié)約查找破片原因時間內(nèi)造成的機(jī)臺閑置的時間以及改善后驗(yàn)證時間,增加機(jī)臺稼動率,增大產(chǎn)能和節(jié)約人力資源成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶元破片檢測技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種晶元破片分析裝置及其晶元破片分析方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,破片原因主要分為兩部分原因,第一部分原因:物理應(yīng)力破環(huán),例如:機(jī)器手臂取放點(diǎn)位變動,提起引腳升降沖擊,活塞異常擠壓,真空異常等。第二部分原因:高低溫設(shè)備(爐管設(shè)備,去光阻設(shè)備,濕蝕刻機(jī)臺),晶元短時間溫差大,熱脹冷縮造成晶元破裂。綜上所述,半導(dǎo)體制程復(fù)雜,晶元接觸機(jī)臺次數(shù)多,機(jī)臺與晶元接觸中的物理接觸點(diǎn)多,由于機(jī)臺的結(jié)構(gòu)不盡相同,性能和調(diào)試的手法存在差異,導(dǎo)致每個接觸點(diǎn)對晶元的影響復(fù)雜,造成晶元破損的原因無法當(dāng)場立即直觀判斷出來。
現(xiàn)有技術(shù)中通常是通過工程人員的經(jīng)驗(yàn)來判斷原因,人員主觀性較強(qiáng),準(zhǔn)確率低,對于多站點(diǎn)造成影響無法很好的快速確認(rèn)和判斷,改善難度增加,對于重復(fù)性情況出現(xiàn)無法進(jìn)行很好的進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄及用以系統(tǒng)的分析破片原因,導(dǎo)致了備件更換及PM頻率、生產(chǎn)成本、宕機(jī)時間和人員維修的壓力的增加,半導(dǎo)體設(shè)備制程環(huán)境要求極高,破片造成后續(xù)機(jī)臺缺陷,影響產(chǎn)能,降低產(chǎn)品良率。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種晶元破片分析裝置及其晶元破片分析方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中無法準(zhǔn)確判斷導(dǎo)致破片位置的接觸點(diǎn),查找破片原因的難度較大,對于改善破片會造成資源的浪費(fèi)的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種晶元破片分析裝置,所述晶元破片分析裝置包括:破片記錄儀,一圓形凹槽設(shè)置所述破片記錄儀上,所述圓形凹槽的外邊緣標(biāo)注有刻度,其中所述圓形凹槽內(nèi)可承載晶元;以及至少一個目視模塊,設(shè)置于所述圓形凹槽的外邊緣處;以及托盤模塊,所述托盤模塊包括底座和托盤,所述底座的底部安裝在所述圓形凹槽內(nèi),所述底座的頂部與所述托盤固定連接,所述晶元承載于所述托盤上;所述晶元破片分析裝置還包括旋轉(zhuǎn)旋鈕,所述旋轉(zhuǎn)旋鈕與所述底座相連。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述目視模塊包括:凸透鏡,設(shè)置于所述圓形凹槽的上邊緣處;平面鏡,設(shè)置于所述凸透鏡的外側(cè)。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述目視模塊呈密封狀態(tài)。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述凸透鏡與所述平面鏡之間為真空狀態(tài)。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述旋轉(zhuǎn)旋鈕用于帶動所述底座轉(zhuǎn)動,從而帶動承載于所述托盤上的晶元旋轉(zhuǎn)。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述平面鏡為45°平面鏡。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述圓形凹槽的中心點(diǎn)、所述晶元的中心點(diǎn)、所述底座的中軸線、所述托盤的中軸線均處于同一豎直線上。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述晶元的中心點(diǎn)、所述凸透鏡的中心點(diǎn)、所述45°平面鏡的中心點(diǎn)均處于同一水平線上。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述目視模塊設(shè)置為2個。
作為本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方案,所述刻度用于標(biāo)注所述晶元的破片位置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提供一種晶元破片分析裝置的晶元破片分析方法,所述晶元破片分析方法包括以下步驟:
通過所述旋轉(zhuǎn)旋鈕帶動所述底座轉(zhuǎn)動;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于合肥晶合集成電路股份有限公司,未經(jīng)合肥晶合集成電路股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810897300.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





