[發明專利]非易失性存儲器結構

在審

• 申請號: 201810896154.1
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN110828464A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 陳明暉
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張宇園

一種非易失性存儲器結構，包括基底與多個存儲單元。多個存儲單元至少包括第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元與第四存儲單元。第二存儲單元與第三存儲單元位于第一存儲單元的一側，且第四存儲單元位于第一存儲單元的另一側。每個存儲單元包括彼此分離設置在基底中的第一阱區、第一摻雜區與第二摻雜區。第一存儲單元與第二存儲單元共享第一阱區。第一存儲單元與第三存儲單元共享第一摻雜區。第一存儲單元與第四存儲單元共享第二摻雜區。

技術領域

本發明涉及一種存儲器結構，且特別涉及一種非易失性存儲器結構。

背景技術

由于非易失性存儲器(non-volatile memory)可進行多次數據的存入、讀取與擦除等操作，且具有當電源供應中斷時，所儲存的數據不會消失、數據訪問時間短以及低消耗功率等優點，所以已成為個人計算機和電子設備所廣泛采用的一種存儲器。

然而，在非易失性存儲器元件的積集度不斷提升的情況下，如何有效地縮小存儲單元的面積以及增加元件密度為目前業界持續努力的目標。

發明內容

本發明提供一種非易失性存儲器結構，其可有效地縮小存儲單元面積且增加元件密度。

本發明提出一種非易失性存儲器結構，包括基底與多個存儲單元。多個存儲單元至少包括第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元與第四存儲單元。第二存儲單元與第三存儲單元位于第一存儲單元的一側，且第四存儲單元位于第一存儲單元的另一側。每個存儲單元包括彼此分離設置在基底中的第一阱區、第一摻雜區與第二摻雜區。第一存儲單元與第二存儲單元共享第一阱區。第一存儲單元與第三存儲單元共享第一摻雜區。第一存儲單元與第四存儲單元共享第二摻雜區。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，每個存儲單元還可包括第二阱區、浮置柵極與介電層。第二阱區設置在基底中。第二阱區與第一阱區彼此分離。浮置柵極設置在基底上，且覆蓋部分第一阱區與部分第二阱區。第一摻雜區與第二摻雜區分別可位于浮置柵極的一側與另一側的第二阱區中。介電層設置在浮置柵極與基底之間。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一存儲單元與第二存儲單元所共享的第一阱區可從第一存儲單元的浮置柵極下方延伸至第二存儲單元的浮置柵極下方。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一阱區與浮置柵極的一側可相交，且第一阱區與浮置柵極的另一側可不相交。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一阱區、第一摻雜區與第二摻雜區可具有第一導電型，且第二阱區可具有第二導電型。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，每個存儲單元還可包括第三摻雜區。第三摻雜區設置在浮置柵極的一側的第一阱區中。第三摻雜區可具有第一導電型。第一存儲單元與第二存儲單元可共享第三摻雜區。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一存儲單元的浮置柵極與第二存儲單元的浮置柵極可位于不同的第二阱區上方。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一存儲單元的浮置柵極、第三存儲單元的浮置柵極與第四存儲單元的浮置柵極可位于相同的第二阱區上方。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一存儲單元與第二存儲單元可為錯位排列，且第一存儲單元與第三存儲單元可為錯位排列。

依照本發明的一實施例所述，在上述非易失性存儲器結構中，第一存儲單元與第四存儲單元可為鏡像對稱。

基于上述，在本發明所提出的非易失性存儲器結構中，第一存儲單元與第二存儲單元共享第一阱區，第一存儲單元與第三存儲單元共享第一摻雜區，且第一存儲單元與第四存儲單元共享第二摻雜區，通過此布局設計可有效地縮小存儲單元面積且增加元件密度。