[發明專利]非易失性存儲器結構

在審

• 申請號: 201810896154.1
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN110828464A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 陳明暉
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張宇園

1.一種非易失性存儲器結構，包括：

基底；以及

多個存儲單元，至少包括第一存儲單元、第二存儲單元、第三存儲單元與第四存儲單元，其中所述第二存儲單元與所述第三存儲單元位于所述第一存儲單元的一側，所述第四存儲單元位于所述第一存儲單元的另一側，

每個存儲單元包括彼此分離設置在所述基底中的第一阱區、第一摻雜區與第二摻雜區，

所述第一存儲單元與所述第二存儲單元共享所述第一阱區，

所述第一存儲單元與所述第三存儲單元共享所述第一摻雜區，且

所述第一存儲單元與所述第四存儲單元共享所述第二摻雜區。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器結構，其中每個存儲單元還包括：

第二阱區，設置在所述基底中，其中所述第二阱區與所述第一阱區彼此分離；

浮置柵極，設置在所述基底上，且覆蓋部分所述第一阱區與部分所述第二阱區，其中所述第一摻雜區與所述第二摻雜區分別位于所述浮置柵極的一側與另一側的所述第二阱區中；以及

介電層，設置在所述浮置柵極與所述基底之間。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一存儲單元與所述第二存儲單元所共享的所述第一阱區從所述第一存儲單元的所述浮置柵極下方延伸至所述第二存儲單元的所述浮置柵極下方。

4.如權利要求3所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一阱區與所述浮置柵極的一側相交，且所述第一阱區與所述浮置柵極的另一側不相交。

5.如權利要求2所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一阱區、所述第一摻雜區與所述第二摻雜區具有第一導電型，且所述第二阱區具有第二導電型。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲器結構，其中每個存儲單元還包括第三摻雜區，所述第三摻雜區設置在所述浮置柵極的一側的所述第一阱區中且具有所述第一導電型，且所述第一存儲單元與所述第二存儲單元共享所述第三摻雜區。

7.如權利要求2所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一存儲單元的所述浮置柵極與所述第二存儲單元的所述浮置柵極位于不同的所述第二阱區上方。

8.如權利要求2所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一存儲單元的所述浮置柵極、所述第三存儲單元的所述浮置柵極與所述第四存儲單元的所述浮置柵極位于相同的所述第二阱區上方。

9.如權利要求1所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一存儲單元與所述第二存儲單元為錯位排列，且所述第一存儲單元與所述第三存儲單元為錯位排列。

10.如權利要求1所述的非易失性存儲器結構，其中所述第一存儲單元與所述第四存儲單元為鏡像對稱。