[發明專利]靶材清潔組件及靶材清潔方法、成膜設備有效
| 申請號: | 201810896123.6 | 申請日: | 2018-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN109023289B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 謝銳 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 組件 方法 設備 | ||
本申請公開一種靶材清潔組件及靶材清潔方法、成膜設備。所述靶材清潔組件的氣體導向機構用于提供朝向靶材的氣流,所述氣流的流通方向指向靶材的縫隙且所述氣流的吹掃區域覆蓋靶材,并通過所述氣流的流通將落于靶材縫隙中的顆粒去除。基于此,本申請能夠有利于改善對靶材縫隙中顆粒的清潔效果,從而確保成膜品質。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及成膜領域,尤其涉及一種靶材清潔組件及靶材清潔方法、成膜設備。
背景技術
在OLED(Organic Light-Emitting Diode)顯示器、LCD(Liquid CrystalDisplay,液晶顯示器)等顯示裝置的制程中,成膜工藝是不可或缺的一道關鍵工藝,其主要用于形成所述顯示裝置的各層膜結構。以ITO成膜工藝為例,并結合圖1~圖3所示,隨著ITO靶材11的使用時長的增加,大量的ITO顆粒(Particle)111會聚集在所述ITO靶材11的縫隙112中,在后續如圖3所示的成膜過程中,這些ITO顆粒111仍會以顆粒形式沉積在待成膜基板13上,從而影響成膜品質。
如圖2所示,當前清潔ITO顆粒111的方式是在成膜腔室(Chamber)20接入管道12,管道12的氣流出口向ITO靶材11吹掃氣體,并通過氣流將落于所述縫隙112中的ITO顆粒111去除。
但是,該出氣方式為單點式設計,氣流的吹掃區域并不能覆蓋整個ITO靶材11,ITO靶材11上大部分區域的縫隙112無法被氣流吹掃,仍會有較多的ITO顆粒111聚集在縫隙112中,清潔效果并不理想。
發明內容
有鑒于此,本申請提供一種靶材清潔組件及靶材清潔方法、成膜設備,能夠有利于改善對靶材縫隙中顆粒的清潔效果。
本申請一實施例的靶材清潔組件,包括氣體導向機構,所述氣體導向機構用于提供朝向靶材的氣流,所述氣流的流通方向指向所述靶材的縫隙且所述氣流的吹掃區域覆蓋所述靶材,并通過所述氣流的流通將落于所述靶材縫隙中的顆粒去除。
本申請一實施例的成膜設備,包括上述靶材清潔組件。
本申請一實施例的靶材清潔方法,包括:
提供靶材清潔組件,其包括用于提供氣流的氣體導向機構;
所述氣體導向機構提供朝向靶材的氣流,且所述氣流的流通方向指向所述靶材的縫隙且所述氣流的吹掃區域覆蓋所述靶材,并通過所述氣流的流通將落于所述靶材縫隙中的顆粒去除。
有益效果:本申請設計氣流的流通方向指向靶材的縫隙且所述氣流的吹掃區域覆蓋整個靶材,相當于將傳統的單點式出氣改變為本申請的整面式出氣,從而能夠有利于改善對靶材縫隙中顆粒的清潔效果,確保后續成膜品質。
附圖說明
圖1是現有ITO靶材一實施例的結構俯視示意圖;
圖2是ITO顆粒聚集在圖1所示ITO靶材的縫隙的示意圖;
圖3是現有技術對ITO靶材進行清潔的場景示意圖;
圖4是采用本申請一實施例的靶材清潔組件對靶材進行清潔的場景俯視示意圖;
圖5是采用圖4所示的靶材清潔組件對靶材進行清潔的場景側視示意圖;
圖6是本申請對靶材的一個縫隙進行清潔的場景示意圖;
圖7是本申請一實施例的靶材清潔方法的流程示意圖。
具體實施方式
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