[發明專利]晶片傳送裝置以及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201810895712.2 | 申請日: | 2018-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN109192691B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 袁福順 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;馬佑平 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 傳送 裝置 以及 半導體 加工 設備 | ||
本發明公開了一種晶片傳送裝置以及半導體加工設備。該晶片傳送裝置包括吸氣臂和吸盤,吸盤包括吸附側和連接側,所述吸盤的連接側通過柔性件與所述吸氣臂連接,所述柔性件被配置為使得所述吸盤能相對所述吸氣臂進行姿態調整。通過這種方式,吸盤能夠相對于吸氣臂發生傾斜、轉動,從而使吸盤正對晶片,這使得晶片的抓取更準確。
技術領域
本發明涉及晶片加工技術領域,更具體地,涉及一種晶片傳送裝置以及半導體加工設備。
背景技術
在現有技術中,如圖1所示,晶片傳送裝置主要包括吸氣臂11、支撐件21、吸盤24和O型圈29。吸氣臂11與負壓裝置連通,通過負壓吸取晶片。在吸取過程中,首先傳送裝置下降,以使吸盤24與與晶片貼合;當晶片與吸盤24接觸時,晶片與吸盤24形成封閉腔室。此時,吸氣臂11內的吸氣通道提供負壓。該吸氣通道與封閉腔室連通,從而使腔室形成負壓腔室。在晶片兩側的壓差作用下,晶片被吸住,然后被轉移到其他工位。
在該裝置中,吸盤24通過支撐件21與吸氣臂11固定連接。同時,為了防止抽吸氣通道漏氣以及保護吸盤24,吸盤24、支撐件21與吸氣臂11之間通常采用O型圈29進行密封。
O型圈29需要較大壓縮量,才能達到良好的密封效果。吸盤24提供O型圈29壓縮變形所需的變形力,這要求吸盤24的位置相對固定。而吸盤24在吸取晶片時,吸盤24的接觸部與晶片之間為硬接觸,由于變形力較大,故容易壓傷晶片。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種晶片傳送裝置的新技術方案。
根據本發明的第一方面,提供了一種晶片傳送裝置。該裝置包括吸氣臂和吸盤,所述吸盤包括吸附側和連接側,所述吸盤的連接側通過柔性件與所述吸氣臂連接,所述柔性件被配置為使得所述吸盤能相對所述吸氣臂進行姿態調整。
可選地,所述柔性件為環形件,具有第一連接端、第二連接端和位于所述第一連接端和所述第二連接端之間的筒狀緩沖部;所述第一連接端在所述吸氣臂的吸氣通道的入口處與所述吸氣臂密封連接,所述第二連接端在所述吸盤的吸氣孔處與所述吸盤的連接側密封連接,所述柔性件的內部構成連接氣路。
可選地,還包括壓環,所述第一連接端具有沿所述柔性件的徑向向外延伸的環形密封部,所述環形密封部被所述壓環壓緊密封在所述入口周圍的壁上。
可選地,所述吸盤的連接側設有沿所述吸盤的軸向突出的連接部,所述連接部的側面設有環形的卡槽,所述吸氣孔分布在所述卡槽圍成的區域內;所述第二連接端具有沿所述柔性件的徑向向內延伸的唇形接口,所述唇形接口與所述卡槽密封卡接。
可選地,所述吸盤的吸附側設有位于中部的敞開腔及圍繞所述敞開腔的接觸面,所述吸氣孔與所述敞開腔連通,所述接觸面呈向內凹陷的喇叭口形。
可選地,所述柔性件為橡膠件、硅膠件或者波紋管件。
可選地,還包括支撐件,所述支撐件包括支撐部和突出設置在所述支撐部上的固定部,所述吸氣臂上位于所述入口的區域內設有固定頭,所述固定部從所述吸附側穿過所述連接部并與所述固定頭連接,所述支撐部呈板狀結構,用于在所述吸附側承托所述吸盤。
可選地,所述吸氣孔為多個,多個所述吸氣孔圍繞所述固定部設置,所述吸附側具有敞開腔,所述支撐部位于所述敞開腔內,所述吸氣孔與所述敞開腔連通。
可選地,所述支撐部與所述入口之間設有間距,使得所述吸盤在所述支撐部與所述入口之間具有相應的移動量。
根據本發明的另一個方面,提供了一種半導體加工設備,該設備包括本發明提供的所述晶片傳送裝置。
根據本公開的一個實施例,晶片傳送裝置的吸盤通過柔性件與吸氣臂連接。在抓取晶片時,吸盤能夠根據與晶片接觸時的作用力,調整姿態,從而使吸盤能夠對準晶片,使得吸附力更大,晶片的吸取容易。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





