[發明專利]液晶聚合物薄膜及具有液晶聚合物薄膜的軟性銅箔基板的制造方法在審
| 申請號： | 201810895645.4 | 申請日： | 2018-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN110117374A | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發明（設計）人： | 李弘榮 | 申請（專利權）人： | 佳勝科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L101/12;B32B15/01;B32B15/20;B32B33/00;B32B37/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣桃園市觀音*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 液晶聚合物薄膜 液晶聚合物 溶劑 粉體 軟性銅箔基板 混和物 制造 蒸干 加熱 尺寸安定性 溶液涂布 承載板 熔融 | ||
1.一種液晶聚合物薄膜的制造方法，其特征在于，包含以下操作：
提供液晶聚合物粉體；
將該液晶聚合物粉體均勻分散于溶劑中，以形成混和物溶液；
將該混和物溶液涂布于承載板上，以形成涂層；
加熱至第一溫度，以蒸干該涂層中的該溶劑；以及
蒸干該溶劑后，加熱至第二溫度，使該液晶聚合物粉體熔融成液晶聚合物薄膜。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中在將該液晶聚合物粉體均勻分散于溶劑的操作中，更包含添加分散劑和/或添加劑。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中該第二溫度至少高于該液晶聚合物粉體的液晶態轉變(LC Transition)溫度。
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中該第二溫度高于該第一溫度。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中該液晶聚合物粉體的平均粒徑介于1納米至1000微米之間。
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中該液晶聚合物薄膜的厚度介于1微米至2000微米之間。
7.一種具有液晶聚合物薄膜的軟性銅箔基板的制造方法，其特征在于，包含以下操作：
提供液晶聚合物粉體；
將該液晶聚合物粉體均勻分散于溶劑中，以形成混和物溶液；
將該混和物溶液涂布于第一銅箔上，以形成涂層；
加熱至第一溫度，以蒸干該涂層中的該溶劑；以及
在蒸干該溶劑后，加熱至第二溫度，使該液晶聚合物粉體熔融成一液晶聚合物薄膜在該第一銅箔上。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中該第二溫度至少高于該液晶聚合物粉體的液晶態轉變(LC Transition)溫度。
9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，其中該第二溫度高于該第一溫度。
10.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中在使該液晶聚合物粉體熔融成該液晶聚合物薄膜的操作后，更包含加熱至第三溫度，接合第二銅箔于該液晶聚合物薄膜上，使得該液晶聚合物薄膜夾置于該第一銅箔與該第二銅箔之間。
11.如權利要求10所述的制造方法，其特征在于，其中該第三溫度介于該液晶聚合物粉體的玻璃化轉變溫度(Tg)與熔點(Tm)之間。
12.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中該液晶聚合物粉體的平均粒徑介于1納米至1000微米之間。
13.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中該液晶聚合物薄膜的厚度介于1微米至2000微米之間。
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