[發明專利]透鏡組件、太赫茲波層析成像系統、方法及過濾器

有效

• 申請號: 201810890496.2
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN110824592B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 王春雷;郭蘭軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02B3/14
• 分類號: G02B3/14;G01N21/3581
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

本公開提供了一種透鏡組件、太赫茲波層析成像系統、方法及過濾器。透鏡組件包括：相對設置的第一基板和第二基板；密封件，與所述第一基板和所述第二基板圍成腔體，所述腔體中填充有磁流體；和多個電磁產生單元，設置在所述第一基板靠近所述腔體的第一側和遠離所述腔體的第二側中的至少一側，其中，所述電磁產生單元在施加電壓的情況下能夠產生磁場，以使得所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案。

技術領域

本公開涉及一種透鏡組件、太赫茲波層析成像系統、太赫茲波層析成像方法及太赫茲波過濾器。

背景技術

隨著太赫茲技術的發展，太赫茲波在諸多領域得到了廣泛應用，例如，活體檢測、無損探測、安檢、安全通信等。在太赫茲波的很多應用領域中，需要對太赫茲波進行收集或聚焦。

發明內容

發明人注意到，相關技術中對太赫茲波進行聚焦的透鏡的焦距是固定的，這樣的透鏡無法應用于層析成像。

有鑒于此，本公開實施例提供了一種焦距可變的透鏡組件。

根據本公開實施例的一方面，提供一種透鏡組件，包括：相對設置的第一基板和第二基板；密封件，與所述第一基板和所述第二基板圍成腔體，所述腔體中填充有磁流體；和多個電磁產生單元，設置在所述第一基板靠近所述腔體的第一側和遠離所述腔體的第二側中的至少一側，其中，所述電磁產生單元在施加電壓的情況下能夠產生磁場，以使得所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案。

在一些實施例中，所述電磁產生單元包括螺線圈。

在一些實施例中，所述多個電磁產生單元在與所述第一基板的表面平行的表面上的投影呈同心圓環排列或行列矩陣排列。

在一些實施例中，所述多個電磁產生單元中的至少一個電磁產生單元設置在所述第一側；所述透鏡組件還包括：第一絕緣層，設置在所述至少一個電磁產生單元與所述磁流體之間。

在一些實施例中，所述透鏡組件還包括：第二絕緣層，設置在所述第二基板與所述磁流體之間。

在一些實施例中，所述多個電磁產生單元中的至少一個電磁產生單元設置在所述第二側；所述透鏡組件還包括：覆蓋所述至少一個電磁產生單元的保護層。

在一些實施例中，所述多個電磁產生單元相對于所述第一基板對稱設置。

根據本公開實施例的另一方面，提供一種太赫茲波層析成像系統，包括：上述任意一個實施例所述的透鏡組件，用于接收太赫茲波，并使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的待成像位置處。

在一些實施例中，所述成像系統還包括：發射器，用于發射太赫茲波至所述透鏡組件；處理裝置，用于接收從所述待成像樣品透射出的太赫茲波并對接收到的太赫茲波進行處理，以得到所述待成像位置的圖像。

根據本公開實施例的又一方面，提供一種太赫茲波過濾器，包括：上述任意一個實施例所述的透鏡組件和位于所述透鏡組件出光側的孔徑光闌，所述透鏡組件用于接收不同波長的太赫茲波，并將設定波長的太赫茲波聚焦在孔徑光闌處。

根據本公開實施例的再一方面，提供一種太赫茲波層析成像方法，包括：發射太赫茲波至上述任意一個實施例所述的透鏡組件；對所述多個電磁產生單元中的至少部分電磁產生單元施加電壓，以使所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案，從而使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的待成像位置處；和接收從所述待成像樣品透射出的太赫茲波并對接收到的太赫茲波進行處理，以得到所述待成像位置的圖像。

在一些實施例中，所述多個電磁產生單元中施加電壓的電磁產生單元和未施加電壓的電磁產生單元呈菲涅爾波帶片圖案分布。