[發明專利]透鏡組件、太赫茲波層析成像系統、方法及過濾器

有效

• 申請號: 201810890496.2
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN110824592B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 王春雷;郭蘭軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02B3/14
• 分類號: G02B3/14;G01N21/3581
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種透鏡組件，用于聚焦太赫茲波，所述透鏡組件包括：

相對設置的第一基板和第二基板；

密封件，與所述第一基板和所述第二基板圍成腔體，所述腔體中填充有磁流體；和

多個電磁產生單元，設置在所述第一基板靠近所述腔體的第一側和遠離所述腔體的第二側中的至少一側，其中，所述電磁產生單元在施加電壓的情況下能夠產生磁場，以使得所述多個電磁產生單元中施加電壓的電磁產生單元和未施加電壓的電磁產生單元呈菲涅爾波帶片圖案分布，從而使得所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案，其中，菲涅爾波帶片圖案的半波帶半徑能夠通過改變施加電壓的電磁產生單元來改變。

2.根據權利要求1所述的透鏡組件，所述電磁產生單元包括螺線圈。

3.根據權利要求1所述的透鏡組件，其中，所述多個電磁產生單元在與所述第一基板的表面平行的表面上的投影呈同心圓環排列或行列矩陣排列。

4.根據權利要求1所述的透鏡組件，其中，所述多個電磁產生單元中的至少一個電磁產生單元設置在所述第一側；

所述透鏡組件還包括：

第一絕緣層，設置在所述至少一個電磁產生單元與所述磁流體之間。

5.根據權利要求1所述的透鏡組件，還包括：

第二絕緣層，設置在所述第二基板與所述磁流體之間。

6.根據權利要求1所述的透鏡組件，所述多個電磁產生單元中的至少一個電磁產生單元設置在所述第二側；

所述透鏡組件還包括：

覆蓋所述至少一個電磁產生單元的保護層。

7.根據權利要求1所述的透鏡組件，其中，所述多個電磁產生單元相對于所述第一基板對稱設置。

8.一種太赫茲波層析成像系統，包括：如權利要求1-7任意一項所述的透鏡組件，用于接收太赫茲波，并使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的待成像位置處。

9.根據權利要求8所述的成像系統，還包括：

發射器，用于發射太赫茲波至所述透鏡組件；

處理裝置，用于接收從所述待成像樣品透射出的太赫茲波并對接收到的太赫茲波進行處理，以得到所述待成像位置的圖像。

10.一種太赫茲波過濾器，包括：如權利要求1-7任意一項所述的透鏡組件和位于所述透鏡組件出光側的孔徑光闌，所述透鏡組件用于接收不同波長的太赫茲波，并將設定波長的太赫茲波聚焦在孔徑光闌處。

11.一種太赫茲波層析成像方法，包括：

發射太赫茲波至權利要求1-7任意一項所述的透鏡組件；

對所述多個電磁產生單元中的至少部分電磁產生單元施加電壓，以使所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案，從而使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的待成像位置處；和

接收從所述待成像樣品透射出的太赫茲波并對接收到的太赫茲波進行處理，以得到所述待成像位置的圖像。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，對所述多個電磁產生單元中的至少部分電磁產生單元施加電壓，以使所述磁流體形成菲涅爾波帶片圖案，從而使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的待成像位置處包括：

對所述多個電磁產生單元中的第一部分電磁產生單元施加電壓，以使所述磁流體形成第一菲涅爾波帶片圖案，從而使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的第一待成像位置處；

對所述多個電磁產生單元中的第二部分電磁產生單元施加電壓，以使所述磁流體形成第二菲涅爾波帶片圖案，從而使得從所述透鏡組件透射出的太赫茲波聚焦在待成像樣品的第二待成像位置處；

其中，所述第二部分電磁產生單元包括至少一個與所述第一部分電磁產生單元不同的電磁產生單元，以使得形成的所述第二菲涅爾波帶片圖案的半波帶半徑與所述第一菲涅爾波帶片圖案的半波帶半徑不同。