[發明專利]反應腔室及半導體加工設備

在審

• 申請號: 201810890130.5
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN110828271A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 宋海洋;趙磊;王文章;郭萬國;劉菲菲;高曉麗
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供一種反應腔室及半導體加工設備，包括基座，承載于基座上的托盤，蓋板和內襯，其中，托盤包括用于承載基片的承載位，蓋板用于覆蓋托盤除承載位之外的區域；內襯環繞設置于反應腔室的側壁內側，且內襯上設置有支撐部，支撐部用于當基座自工藝位置下降時，支撐蓋板使蓋板與托盤分離。本發明提供的反應腔室能夠避免工藝氣體產生的離子對托盤進行轟擊，防止污染物的產生，從而提高預清洗的刻蝕速率和均勻性，使工藝產能和工藝效果提高。

技術領域

本發明涉及半導體工藝設備技術領域，具體地，涉及一種反應腔室及半導體加工設備。

背景技術

目前，半導體工藝中，基片(Wafer)在進行薄膜生長工藝前，一般需要進行預清洗(Preclean)工藝，將基片表層的污染物去除，以保證在后續生長的薄膜具有較好的粘附力和較高的薄膜質量，預清洗工藝的核心指標有刻蝕速率、均勻性及選擇比，電容耦合等離子體預清洗裝置(CCP Preclean，Capacitively Coupled Plasmas Preclean)是預清洗工藝的常用設備。

如圖1所示，現有的一種電容耦合等離子體預清洗裝置包括基座11，下內襯12，上內襯13和金屬托盤14，其中金屬托盤14中設置有用于放置基片的凹槽，在進行預清洗工藝時，基片被置于凹槽中，隨金屬托盤14傳入反應腔室內，并放置在基座11上，基座11承載金屬托盤14上升至工藝位，反應腔室的工藝氣體在電場的作用下形成離子，作用于基片表面將污染物轟擊掉，產生的副產物被抽氣系統抽走，使基片表面潔凈平整，預清洗工藝結束后，金屬托盤14承載基片傳出，再進入鍍膜腔室，進行后續薄膜沉積。

但是，工藝氣體在電場作用下產生的離子轟擊基片表面時，也會轟擊金屬托盤14上凹槽之外的金屬表面，產生的金屬粒子會落在基片表面，形成新的污染物。為此，還需要增加清洗步驟，以將新形成的污染物轟擊掉，從而導致預清洗工藝的刻蝕速率降低，影響工藝產能。另外，落在基片邊緣附近的金屬粒子比落在基片中心的金屬離子多，這會導致預清洗工藝的刻蝕均勻性降低，影響工藝效果。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種反應腔室及半導體加工設備，其能夠避免工藝氣體產生的離子對托盤進行轟擊，防止污染物的產生，從而提高預清洗的刻蝕速率和均勻性，使工藝產能和工藝效果提高。

為實現本發明的目的而提供一種反應腔室，包括基座和承載于所述基座上的托盤，且所述托盤包括用于承載基片的承載位，所述反應腔室還包括蓋板和內襯，其中：

所述蓋板用于覆蓋所述托盤除所述承載位之外的區域；

所述內襯環繞設置于所述反應腔室的側壁內側，且所述內襯上設置有支撐部，所述支撐部用于當所述基座自工藝位置下降時，支撐所述蓋板使所述蓋板與所述托盤分離。

優選的，所述蓋板包括鏤空部，當承載有所述托盤的所述基座位于工藝位置時，所述鏤空部在所述托盤上的正投影與所述承載位完全重合。

優選的，所述承載位為一個或多個；所述鏤空部的數量與所述承載位的數量相同且一一對應。

優選的，在所述承載位上設置有第一凹槽，所述基片放置在所述第一凹槽中。

優選的，所述支撐部為自所述內襯的下端向所述內襯的內側，并朝上彎曲的鉤狀結構。

優選的，所述蓋板的邊緣面向所述基座的一面設置有環形凹槽；當所述蓋板由所述支撐部支撐時，所述支撐部的端部位于所述環形凹槽中。

優選的，所述蓋板包括板狀本體，在所述板狀本體的下表面邊緣設置有兩個環形凸部，兩個所述環形凸部之間的間隔形成所述環形凹槽。

優選的，在所述基座位于所述工藝位置時，靠近所述托盤的外周壁的所述環形凸部還用于遮擋所述托盤的外周壁。

優選的，所述蓋板所采用的材料包括石英。