[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810890130.5
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN110828271A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋海洋;趙磊;王文章;郭萬國;劉菲菲;高曉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種反應(yīng)腔室，包括基座和承載于所述基座上的托盤，且所述托盤包括用于承載基片的承載位，其特征在于，所述反應(yīng)腔室還包括蓋板和內(nèi)襯，其中：

所述蓋板用于覆蓋所述托盤除所述承載位之外的區(qū)域；

所述內(nèi)襯環(huán)繞設(shè)置于所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁內(nèi)側(cè)，且所述內(nèi)襯上設(shè)置有支撐部，所述支撐部用于當(dāng)所述基座自工藝位置下降時，支撐所述蓋板使所述蓋板與所述托盤分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述蓋板包括鏤空部，當(dāng)承載有所述托盤的所述基座位于工藝位置時，所述鏤空部在所述托盤上的正投影與所述承載位完全重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述承載位為一個或多個；所述鏤空部的數(shù)量與所述承載位的數(shù)量相同且一一對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述承載位上設(shè)置有第一凹槽，所述基片放置在所述第一凹槽中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述支撐部為自所述內(nèi)襯的下端向所述內(nèi)襯的內(nèi)側(cè)，并朝上彎曲的鉤狀結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述蓋板的邊緣面向所述基座的一面設(shè)置有環(huán)形凹槽；當(dāng)所述蓋板由所述支撐部支撐時，所述支撐部的端部位于所述環(huán)形凹槽中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述蓋板包括板狀本體，在所述板狀本體的下表面邊緣設(shè)置有兩個環(huán)形凸部，兩個所述環(huán)形凸部之間的間隔形成所述環(huán)形凹槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述基座位于所述工藝位置時，靠近所述托盤的外周壁的所述環(huán)形凸部還用于遮擋所述托盤的外周壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述蓋板采用的材料包括石英。

10.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任意一項所述的反應(yīng)腔室。