[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810885607.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110310956B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 野田耕生;村田威史;野田光彥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H10B43/35 | 分類(lèi)號(hào)： | H10B43/35;H10B43/20;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具備：
第1導(dǎo)電層；
多個(gè)第2導(dǎo)電層，積層于所述第1導(dǎo)電層上，且在第1方向延伸；
第3導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第1導(dǎo)電層與所述第2導(dǎo)電層之間；
存儲(chǔ)器支柱，在積層所述多個(gè)第2導(dǎo)電層的第2方向，在所述多個(gè)第2導(dǎo)電層內(nèi)延伸；
第1絕緣層，在所述第1方向及所述第2方向延伸，將所述多個(gè)第2導(dǎo)電層分離；及
多個(gè)第2絕緣層，與所述第1絕緣層的端部隔開(kāi)距離而設(shè)置，且在與所述第1方向正交的第3方向及所述第2方向延伸，且
所述多個(gè)第2絕緣層隔著所述第1絕緣層的延長(zhǎng)線而配置，
所述第1導(dǎo)電層與所述第1絕緣層的延長(zhǎng)線和所述第2絕緣層的延長(zhǎng)線交叉的交叉區(qū)域在所述第2方向重疊，
所述第3導(dǎo)電層不與所述交叉區(qū)域在所述第2方向重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于
所述第3導(dǎo)電層具有開(kāi)口部，
所述開(kāi)口部與所述交叉區(qū)域在所述第2方向重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于所述第1導(dǎo)電層與所述開(kāi)口部在所述第2方向重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于還具備交替地積層于所述第1導(dǎo)電層上的第3絕緣層及第4導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于所述第3導(dǎo)電層設(shè)置于所述第1絕緣層的延長(zhǎng)線上相比所述交叉區(qū)域更靠所述第1絕緣層側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于
所述存儲(chǔ)器支柱具有柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、及電荷蓄積層，且
所述第2導(dǎo)電層與所述柵極絕緣層、所述半導(dǎo)體層、及所述電荷蓄積層構(gòu)成存儲(chǔ)單元。
7.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具備：
第1導(dǎo)電層；
多個(gè)第2導(dǎo)電層，積層于所述第1導(dǎo)電層上，且在第1方向延伸；
第3導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第1導(dǎo)電層與所述第2導(dǎo)電層之間；
存儲(chǔ)器支柱，在積層所述多個(gè)第2導(dǎo)電層的第2方向，在所述多個(gè)第2導(dǎo)電層內(nèi)延伸；及
第1絕緣層，在所述多個(gè)第2導(dǎo)電層內(nèi)設(shè)置于所述第2方向，且在所述第1方向延伸，將所述多個(gè)第2導(dǎo)電層分離；及
第2絕緣層，與所述第1絕緣層的端部隔開(kāi)距離而設(shè)置，且在與所述第1方向正交的第2方向延伸；且
所述第1導(dǎo)電層與所述第1絕緣層的延長(zhǎng)線和所述第2絕緣層的延長(zhǎng)線交叉的交叉區(qū)域在所述第2方向重疊；
以在所述第1方向，所述第3導(dǎo)電層的端部、所述第1絕緣層的端部、所述第1導(dǎo)電層的端部依此順序遠(yuǎn)離所述存儲(chǔ)器支柱的方式配置。
8.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具備：
第1導(dǎo)電層；
多個(gè)第2導(dǎo)電層，積層于所述第1導(dǎo)電層上，且在第1方向延伸；
第3導(dǎo)電層，設(shè)置于所述第1導(dǎo)電層與所述第2導(dǎo)電層之間；
存儲(chǔ)器支柱，在積層所述多個(gè)第2導(dǎo)電層的第2方向，在所述多個(gè)第2導(dǎo)電層內(nèi)延伸；及
第1絕緣層，在所述多個(gè)第2導(dǎo)電層內(nèi)設(shè)置于所述第2方向，且在所述第1方向延伸，將所述多個(gè)第2導(dǎo)電層分離；及第2絕緣層，與所述第1絕緣層的端部隔開(kāi)距離而設(shè)置，且在與所述第1方向正交的第2方向延伸；且
所述第1導(dǎo)電層與所述第1絕緣層的延長(zhǎng)線和所述第2絕緣層的延長(zhǎng)線交叉的交叉區(qū)域在所述第2方向重疊；
在所述第1方向，所述第1絕緣層從所述第3導(dǎo)電層的端部延伸的區(qū)域與所述第1導(dǎo)電層在所述第2方向重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于所述第1導(dǎo)電層具有島狀的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于還具備第3絕緣層，所述第3絕緣層與所述第2絕緣層隔開(kāi)距離而設(shè)置且在所述第2方向延伸。
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