[發(fā)明專利]一種QLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810879629.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN108963098B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李東
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種QLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置，該QLED顯示面板包括：相對設(shè)置的第一基板和第二基板；形成于第一基板和第二基板之間、且沿第一基板指向第二基板方向排列的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極；還包括：形成于空穴傳輸層朝向量子點(diǎn)發(fā)光層一側(cè)的第一離子型配位化合物層，第一離子型配位化合物層內(nèi)部具有第一內(nèi)部電場，且第一內(nèi)部電場靠近空穴傳輸層一側(cè)為正極，靠近量子點(diǎn)發(fā)光層一側(cè)為負(fù)極。該QLED顯示面板通過增設(shè)離子型配位化合物層，可提高空穴由空穴傳輸層向量子點(diǎn)發(fā)光層之中的注入，平衡量子點(diǎn)發(fā)光層中的載流子，從而提高顯示面板的效率和壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種QLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)(Quantum Dot，簡稱QD)作為新型的發(fā)光材料，具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色可調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，已成為目前新型發(fā)光二級管中發(fā)光材料的研究熱點(diǎn)。因此，以量子點(diǎn)材料作為發(fā)光層的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，簡稱QLED)成為了目前新型顯示器件研究的主要方向。

目前QLED器件結(jié)構(gòu)中，由于能級位置等原因，量子點(diǎn)材料(尤其是紅、綠量子點(diǎn))內(nèi)的電子注入普遍優(yōu)于空穴注入，而電子在載流子數(shù)目中占據(jù)優(yōu)勢，使器件中載流子十分不平衡，這成為限制QLED器件效率和穩(wěn)定性進(jìn)一步提高的瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種QLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置，上述QLED顯示面板解決了空穴與電子向量子點(diǎn)發(fā)光層注入效率不同，而造成的QLED顯示面板中載流子不平靜的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種QLED顯示面板，包括：

相對設(shè)置的第一基板和第二基板；

形成于所述第一基板和第二基板之間、且沿所述第一基板指向所述第二基板方向排列的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極；還包括：

形成于所述空穴傳輸層朝向所述量子點(diǎn)發(fā)光層一側(cè)的第一離子型配位化合物層，所述第一離子型配位化合物層內(nèi)部具有第一內(nèi)部電場，且所述第一內(nèi)部電場靠近所述空穴傳輸層一側(cè)為正極，靠近所述量子點(diǎn)發(fā)光層一側(cè)為負(fù)極。

上述QLED顯示面板中，QLED顯示面板包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板，以及形成于第一基板與第二基板之間、且沿第一基板指向第二基板方向排列的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一離子型配位化合物層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極。且由于第一離子型配位化合物層具有第一內(nèi)部電場，第一內(nèi)部電場靠近空穴傳輸層的一側(cè)為正極，靠近量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)為負(fù)極，則該第一內(nèi)部電場可以改變量子點(diǎn)發(fā)光層與空穴傳輸層界面的真空能級，降低二者HOMO能級的勢壘，提高空穴注入量子點(diǎn)發(fā)光層的效率，從而改善量子點(diǎn)發(fā)光層中載流子平衡。

本發(fā)明提供的QLED顯示面板通過增設(shè)離子型配位化合物層，可以提高空穴由空穴傳輸層向量子點(diǎn)發(fā)光層之中的注入，平衡量子點(diǎn)發(fā)光層中的載流子，從而提高QLED顯示面板的效率和壽命。

因此，上述QLED顯示面板解決了空穴與電子向量子點(diǎn)發(fā)光層注入效率不同，而造成的QLED顯示面板中載流子不平靜的問題。

優(yōu)選地，還包括形成于所述量子點(diǎn)發(fā)光層朝向所述電子傳輸層一側(cè)的第二離子型配位化合物層，所述第二離子型配位化合物層內(nèi)部具有第二內(nèi)部電場，且所述第二內(nèi)部電場靠近所述量子點(diǎn)發(fā)光層一側(cè)為正極，靠近所述電子傳輸層一側(cè)為負(fù)極；和/或，

還包括形成于所述電子傳輸層朝向所述第二電極一側(cè)的第三離子型配位化合物層，所述第三離子型配位化合物層內(nèi)部具有第三內(nèi)部電場，且所述第三內(nèi)部電場靠近所述電子傳輸層一側(cè)為正極，靠近所述第二電極一側(cè)為負(fù)極。