[發明專利]一種QLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201810879629.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN108963098B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種QLED顯示面板，包括：

相對設置的第一基板和第二基板；

形成于所述第一基板和第二基板之間、且沿所述第一基板指向所述第二基板方向排列的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和第二電極；其特征在于，還包括：

形成于所述空穴傳輸層朝向所述量子點發光層一側的第一離子型配位化合物層，所述第一離子型配位化合物層內部具有第一內部電場，且所述第一內部電場靠近所述空穴傳輸層一側為正極，靠近所述量子點發光層一側為負極。

2.根據權利要求1所述的QLED顯示面板，其特征在于，所述第一離子型配位化合物層的制備材料為有機金屬配位化合物。

3.根據權利要求2所述的QLED顯示面板，其特征在于，所述第一離子型配位化合物層包括陽離子部分和陰離子部分，其中：

所述陽離子部分包括中心金屬離子和所述中心金屬離子的配體，所述中心金屬離子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一種，所述中心金屬離子的配體包括鄰菲咯啉、鄰菲咯啉鹵代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶鹵代物、苯基惡二唑吡啶、苯基惡二唑吡啶鹵代物、苯基吡啶、苯基吡啶鹵代物、聯吡啶、聯吡啶鹵代物或三鹵甲基取代物中的一種；

所述陰離子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸鹵代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸鹵代物、四[雙(三氟甲基)苯基]硼酸、四[雙(三氟甲基)苯基]硼酸鹵代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸鹵代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸鹵代物、六[雙(三氟甲基)苯基]磷酸、六[雙(三氟甲基)苯基]磷酸鹵代物或三鹵甲基取代物中的一種。

4.根據權利要求1所述的QLED顯示面板，其特征在于，還包括形成于所述量子點發光層朝向所述電子傳輸層一側的第二離子型配位化合物層，所述第二離子型配位化合物層內部具有第二內部電場，且所述第二內部電場靠近所述量子點發光層一側為正極，靠近所述電子傳輸層一側為負極；和/或，

還包括形成于所述電子傳輸層朝向所述第二電極一側的第三離子型配位化合物層，所述第三離子型配位化合物層內部具有第三內部電場，且所述第三內部電場靠近所述電子傳輸層一側為正極，靠近所述第二電極一側為負極。

5.根據權利要求4所述的QLED顯示面板，其特征在于，所述第二離子型配位化合物層和/或所述第三離子型配位化合物層的制備材料為有機金屬配位化合物。

6.根據權利要求5所述的QLED顯示面板，其特征在于，所述第二離子型配位化合物層和/或所述第三離子型配位化合物層包括陽離子部分和陰離子部分，其中：

所述陽離子部分包括中心金屬離子和所述中心金屬離子的配體，所述中心金屬離子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一種，所述中心金屬離子的配體包括鄰菲咯啉、鄰菲咯啉鹵代物、2-苯基吡啶、2-苯基吡啶鹵代物、苯基惡二唑吡啶、苯基惡二唑吡啶鹵代物、苯基吡啶、苯基吡啶鹵代物、聯吡啶、聯吡啶鹵代物或三鹵甲基取代物中的一種；

所述陰離子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四(五氟苯基)硼酸鹵代物、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸鹵代物、四[雙(三氟甲基)苯基]硼酸、四[雙(三氟甲基)苯基]硼酸鹵代物、六(五氟苯基)磷酸、六(五氟苯基)磷酸鹵代物、六[(三氟甲基)苯基]磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸鹵代物、六[雙(三氟甲基)苯基]磷酸、六[雙(三氟甲基)苯基]磷酸鹵代物或三鹵甲基取代物中的一種。