[發明專利]半導體發光器件

在審

• 申請號: 201810879444.5
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN108807635A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 全水根;樸恩鉉;金勈德
• 申請（專利權）人: 世邁克琉明有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/50;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種半導體發光器件，該半導體發光器件包括：

多個半導體層，所述多個半導體層包括具有第一導電性的第一半導體層、具有不同于所述第一導電性的第二導電性的第二半導體層、以及介于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間并且經由電子空穴復合產生光的有源層；

不導電反射膜，所述不導電反射膜設置在所述多個半導體層上，用于從所述有源層向所述第一半導體層反射光，其中，所述不導電反射膜包括分布式布拉格反射器；

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極設置在所述不導電反射膜上并且與該不導電反射膜接觸，并且與所述多個半導體層電連接，其中，設置所述第一電極的側具有增加的高度，以使得所述第一電極的側與所述第二電極的側之間的高度差減少；

至少一個指狀電極，所述至少一個指狀電極在所述不導電反射膜和所述多個半導體層之間延伸，所述至少一個指狀電極電連接到所述第一電極和所述第二電極中的一方；以及

至少一個電連接件，所述至少一個電連接件將所述至少一個指狀電極連接到所述第二電極并且穿過所述不導電反射膜，

其中，所述至少一個指狀電極在所述第二半導體層上方延伸，并且

其中，所述至少一個指狀電極在所述第一電極的不與所述至少一個指狀電極電連接的下方延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，

其中，所述至少一個指狀電極由兩個或更多個單獨的指狀電極組成。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，

其中，所述至少一個指狀電極還包括在所述第一半導體層上方延伸的一個或更多個指狀電極。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，所述半導體發光器件還包括：

透光導電膜，所述透光導電膜設置在所述至少一個指狀電極和所述第二半導體層之間。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件，

其中，所述至少一個指狀電極由沿著所述半導體發光器件的橫向方向延伸的多個指狀電極組成。