[發明專利]一種分體式窗口CMP拋光墊的制備方法及CMP拋光墊

在審

• 申請號: 201810877758.1
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN108818300A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 宋思琪
• 申請（專利權）人: 成都時代立夫科技有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 蔣秀清;李春芳

本發明公開了一種分體式窗口CMP拋光墊的制備方法，包括對基材雕刻溝槽和一個放置窗口材料的窗口孔洞，然后將基材和襯底通過背膠貼合，再用襯底沖壓模具在基材的窗口孔洞位置將襯底沖壓出一個襯底孔洞，同時形成窗口支撐塊，再用沖壓機和窗口材料沖壓模具對窗口材料進行沖壓，得到成型的窗口材料，之后在窗口支撐塊上涂抹一層底涂劑，最后將成型的窗口材料放在窗口孔洞位置，貼于窗口支撐塊上；及一種利用此法制備的CMP拋光墊。相較于切片一體化窗口，該后期貼合窗口的方式，使得在制造過程中材料之間不會相互影響，可以解決固化后基材的密度分布不均勻的問題，降低由于溫度不均勻而導致拉伸強度的波動，還可有效的降低基材報廢率，節約生產成本。

技術領域

本發明涉及拋光墊領域，尤其涉及一種分體式窗口CMP拋光墊的制備方法及CMP拋光墊。

背景技術

CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光。CMP基本原理是：將旋轉的被拋光晶片壓在與其同方向旋轉的彈性拋光墊上，而拋光漿料在晶片與底板之間連續流動。上下盤高速反向運轉，被拋光晶片表面的反應產物被不斷地剝離，新拋光漿料補充進來，反應產物隨拋光漿料帶走。新裸露的晶片平面又發生化學反應，產物再被剝離下來而循環往復，在襯底、磨粒和化學反應劑的聯合作用下，形成超精表面。CMP拋光墊作為CMP過程的消耗品，在使用過程中需要一個可以計數、定位用的透明窗口,以精準的控制拋光的厚度。一個完整的拋光墊從上到下的組成是基材、背膠、襯底，基材就是與晶圓接觸的部分，主要起磨拋作用，背膠將基材和襯底貼合在一起，襯底主要起支撐作用。為了保證拋光液在基材充分作用時間，通常會在基材雕刻出溝槽以貯存拋光液。同時，基材自身的空隙也會貯存拋光液和磨粒，增加磨粒與晶圓的接觸時間和面積。目前市場上通用的是一種由美國Dow生產的切片一體化窗口拋光墊。

切片一體化窗口是美國DOW主打的產品。其制作工藝是將預先成型的柱狀窗口放入柱狀模具中固定，再將配好的聚氨酯注入。待整體固化后，將一體成型的柱狀基材切片成多個片材。切片一體化窗口成型，基材固化時會出現溫度不均勻的情況，固化后的基材局部性能存在差異。溫度不均勻，影響交聯程度，表現為拉伸強度的波動。混合填料的預聚體黏度大，流動性差，在柱狀模具中流動緩慢，固化后的密度不均勻，由此產生大量不達標的報廢料。密度不均勻，還會導致基材在使用過程中影響拋光液的貯存，影響拋光效率、平坦化程度。一體成型的柱狀窗口在模具中固定不穩，還會出現窗口偏移的情況，影響計次時紅外穿透窗口。

發明內容

本發明的目的在于：針對切片一體化窗口成型的基材在固化時出現溫度不均勻，導致基材拉伸強度的波動，且固化后密度不均勻，報廢率高的問題，本發明提供一種分體式窗口CMP拋光墊的制備方法及CMP拋光墊。

本發明采用的技術方案如下：

一種分體式窗口CMP拋光墊的制備方法,包括以下步驟：

(1)取基材并對基材雕刻溝槽；

(2)取襯底并在襯底底部貼一層背膠B；

(3)在雕刻溝槽的基材上雕刻出一個放置窗口材料的窗口孔洞；

(4)將雕刻了窗口孔洞的基材和貼了背膠B的襯底通過背膠A貼合，再用襯底沖壓模具在基材的窗口孔洞位置將襯底沖壓出一個襯底孔洞，同時在窗口孔洞的底部兩側形成兩個窗口支撐塊；

(5)另取窗口材料并用沖壓機和窗口材料沖壓模具對窗口材料進行沖壓，得到成型的窗口材料；

(6)在窗口支撐塊上涂抹一層底涂劑；

(7)最后將成型的窗口材料放在窗口孔洞位置，貼于窗口支撐塊上，得到CMP拋光墊。

優選地，所述窗口孔洞形狀為橢圓形，長邊35～41mm，圓弧半徑8.6～10.6mm，窗口中心距離基材圓心98.5～104.5mm。