[發(fā)明專利]一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810874894.5 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109037358A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇榮;王嵐;張元秋;謝耀輝;王濤 | 申請(專利權(quán))人: | 通威太陽能(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/513 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人: | 楊保剛;鄧蕓 |
| 地址: | 610299 四川省成都市雙流*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 產(chǎn)能 板式 電池 晶硅太陽能電池 減反射效果 氣流量限制 電池背面 鍍膜工藝 設(shè)備參數(shù) 微波功率 電池片 電性能 背面 制造 | ||
本發(fā)明公開了一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,涉及晶硅太陽能電池制造領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有PECVD鍍膜工藝不能夠不降低電池片電性能的同時提高產(chǎn)能的問題。一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,通過背面漸進(jìn)式鍍膜工藝來提高雙面PERC電池背面減反射效果,最終提高PERC電池雙面率,從改善微波功率限制、特氣流量限制、設(shè)備參數(shù)限制等入手,從而達(dá)到提升產(chǎn)能的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于晶硅太陽能電池制造領(lǐng)域,更具體的是涉及一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法。
背景技術(shù)
目前,高效晶硅電池是太陽能電池的主流發(fā)展趨勢,性價比占優(yōu)的PERC(鈍化發(fā)射極背面接觸電池)將大量占據(jù)市場,已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)太陽能電池片技術(shù)。PERC電池需要背面鈍化及背面鍍膜工藝,可見鍍膜工序是PERC電池片生產(chǎn)環(huán)節(jié)中最重要的一環(huán),鍍膜的質(zhì)量直接影響到電池片的電性能。目前可以進(jìn)行背鈍化的比較先進(jìn)的設(shè)備包括微導(dǎo)的ALD(原子層沉積)設(shè)備和梅耶博格的MAiA設(shè)備。梅耶博格的MAiA設(shè)備有多個工藝腔聯(lián)結(jié),可以完成背面氧化鋁鍍膜和氮化硅鍍膜,甚至MAiA的3in 1設(shè)備可以一次性完成背面氧化鋁、氮化硅和正面氮化硅的鍍膜。MAiA的優(yōu)點(diǎn)是鍍膜均勻性好,一次性完成背面氧化鋁和氮化硅鍍膜的情況下可以減少環(huán)境污染,操作簡單,缺點(diǎn)是產(chǎn)能比ALD設(shè)備略低,所以鍍膜工序往往是晶硅太陽能電池片的產(chǎn)能瓶頸,釋放鍍膜工序的產(chǎn)能一直是晶硅電池企業(yè)所關(guān)心的問題。目前MAiA設(shè)備鍍PERC電池背面氧化鋁的鈍化效果比ALD差,導(dǎo)致MAiA設(shè)備鍍背面氧化鋁膜的膜厚必須在20nm以上,而ALD設(shè)備鍍氧化鋁膜膜厚5~10nm就可以達(dá)到相同效果,MAiA采用尖端放電激發(fā)的氬氣等離子體再激發(fā)三甲基鋁,激發(fā)后的氬氣和三甲基鋁混合氣體再與笑氣反應(yīng),混合氣體在石英管傳導(dǎo)微波能量中電離,產(chǎn)生的等離子體在晶硅背表面形成鍍膜層。這種鍍膜方法中,微波功率的限制及特氣總流量的限制就是限制MAiA等板式PECVD設(shè)備生產(chǎn)產(chǎn)能的主要原因,而廠商安裝并調(diào)試MAiA鍍膜設(shè)備后,起初提供的量產(chǎn)工藝菜單往往比較保守,考慮到設(shè)備的“磨合期”,并沒有將特氣電離度及等離子體沉積速率最佳程度匹配起來。尚德太陽能電力有限公司申請的專利(201711336123.2),提供了一種提升管式PECVD工藝產(chǎn)能的方法,主要是從鍍膜后輔助流程上實現(xiàn)工藝運(yùn)行時間縮短,而且僅限于管式PECVD設(shè)備;蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司申請的專利(201621098512.7),通過改變鍍膜沉積槽磁場運(yùn)行方向從而達(dá)到提高等離子體利用率,此種方法在MAiA上鍍膜(石英管在鍍膜電池片上方)設(shè)備上并無改進(jìn)空間,改變磁場方向后的氬等離子體束斑的方向?qū)⒏淖儭?/p>
目前為了保證雙面PERC電池背面鍍膜顯示藍(lán)色,大多數(shù)廠家采用低光程鍍膜,并在低光程鍍膜的同時采用低膜厚、高折射率鍍膜工藝或者漸進(jìn)式鍍膜工藝。采用低光程鍍膜工藝的時候,鍍膜層鈍化效果將是決定PERC電池電性能的重要一環(huán),提高板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的同時不降低鍍膜層鈍化效果,將是目前晶硅PERC電池廠家要解決的技術(shù)難題。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述技術(shù)不足,本發(fā)明提供一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,解決了現(xiàn)有PECVD鍍膜工藝不能夠不降低電池片電性能的同時提高產(chǎn)能的問題。
本發(fā)明為了實現(xiàn)上述目的,具體采用以下技術(shù)方案:
一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,通過采用背面漸進(jìn)式鍍膜工藝結(jié)合對原有工藝參數(shù)的改進(jìn)調(diào)整,實現(xiàn)提高PERC電池雙面率和提升產(chǎn)能的目的,方法步驟均為在原有工藝上進(jìn)行改進(jìn)和調(diào)整,包括以下步驟:
(1)、增大電子特氣總流量:在原有工藝條件下,按比例增大氬氣、笑氣、三甲基鋁、氨氣、硅烷的總流量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





