[發(fā)明專利]一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810874894.5 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109037358A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇榮;王嵐;張元秋;謝耀輝;王濤 | 申請(專利權(quán))人: | 通威太陽能(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/513 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人: | 楊保剛;鄧蕓 |
| 地址: | 610299 四川省成都市雙流*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 產(chǎn)能 板式 電池 晶硅太陽能電池 減反射效果 氣流量限制 電池背面 鍍膜工藝 設(shè)備參數(shù) 微波功率 電池片 電性能 背面 制造 | ||
1.一種提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,所述的方法通過采用背面漸進(jìn)式鍍膜工藝結(jié)合對原有工藝參數(shù)的改進(jìn)調(diào)整,實現(xiàn)提高PERC電池雙面率和提升產(chǎn)能的目的,其特征在于,所述的方法步驟均為在原有工藝上進(jìn)行改進(jìn)和調(diào)整,包括以下步驟:
(1)、增大電子特氣總流量:在原有工藝條件下,按比例增大氬氣、笑氣、三甲基鋁、氨氣、硅烷的總流量。
(2)、增大微波功率:增大微波功率有兩種方法,一是增大微波峰值功率,峰值功率報警上限為4400W,但微波波動較大,在3800W時就有可能波動到4400W產(chǎn)生設(shè)備報警,可將現(xiàn)有的微波功率提升到3400~3800W;二是增加微波開啟時間或縮短微波關(guān)閉時間,將微波開啟時間由原來的3~6ms增加到8ms,或者將微波關(guān)閉時間有原來的14~18ms減小為8~12ms,以達(dá)到增大平均功率的目的。
(3)、減少進(jìn)料腔預(yù)熱時間:優(yōu)化真空度,和預(yù)熱溫度,減少載板在進(jìn)料腔的預(yù)熱時間,使載板可以盡早的進(jìn)入工藝腔進(jìn)行鍍膜。
(4)、提高各腔室傳送帶帶速:此過程可以提高碳纖維載板在各腔室的移動速度,帶速可提升10~30cm/min,從而提升鍍膜工序產(chǎn)能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,所述的漸進(jìn)式鍍膜工藝是指,將背面鍍膜工藝腔的兩組石英管對應(yīng)的噴淋系統(tǒng)設(shè)計成不同的流量或者改變特氣管道噴淋孔的數(shù)量,且將氧化鋁和氮化硅鍍膜離進(jìn)料口近的石英管鍍膜采用高折射率工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,所述的漸進(jìn)式鍍膜工藝中的氧化鋁膜漸進(jìn)式鍍膜工藝的具體參數(shù)為:保證笑氣流量計MFC1的流量低于笑氣流量計MFC2的流量,MFC1流量計的笑氣流量設(shè)置為500~700sccm,MFC2流量計的笑氣流量設(shè)置為700~1000sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,所述的漸進(jìn)式鍍膜工藝中的氮化硅膜漸進(jìn)式鍍膜工藝的具體參數(shù)為:氨氣流量計MFC1到MFC5的流量設(shè)置為500~1400sccm;氨氣流量計MFC6的流量設(shè)置為0~300sccm;氨氣流量計MFC7的流量設(shè)置為100~800sccm;氨氣流量計MFC8的流量設(shè)置為50~300sccm;硅烷流量計MFC1到MFC5的流量設(shè)置為150~600sccm;硅烷流量計MFC6的流量設(shè)置為0~200sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,步驟(1)增大電子特氣總流量的工藝方案已經(jīng)在漸進(jìn)式鍍膜工藝方案中實現(xiàn),在后續(xù)步驟中可以繼續(xù)實施和調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,步驟(2)增大微波功率可替換為改變微波源或改善微波導(dǎo)管的質(zhì)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升雙面PERC電池板式PECVD鍍膜產(chǎn)能的方法,其特征在于,所述的原有工藝參數(shù)是指是設(shè)備進(jìn)廠后,供應(yīng)商廠家所對應(yīng)設(shè)置的原始工藝參數(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





