[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810874051.5
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109037258A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 張連謙;李志偉;冉春明;黃仁德
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

本公開涉及半導體裝置及其制造方法。制造半導體裝置的方法包括：提供器件晶片，其中該器件晶片包括襯底和形成在襯底上的器件層；在器件晶片上形成支撐層，使得支撐層和襯底位于器件層的兩側；以及將得到的半導體裝置反轉，在支撐層的支撐下，對半導體裝置進行后續處理。

技術領域

本公開涉及半導體領域，具體來說，涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術

圖像傳感器可用于對輻射(例如，光輻射，包括但不限于可見光、紅外線、紫外線等)進行感測，從而生成對應的電信號(圖像)。它被廣泛地應用在數碼相機、安保設施、和其他成像設備中。圖像傳感器按照其接收輻射的方式可以分為背照式(BSI)圖像傳感器和前照式(FSI)圖像傳感器。

背照式圖像傳感器能夠從其背面接收輻射。不同于前照式圖像傳感器，在背照式圖像傳感器中，輻射從襯底的背面入射進入，而布線等可能影響輻射接收的部件基本都位于襯底的正面。

對于圖像傳感器而言，簡化制造工藝和提高成像質量是重要的挑戰。因此存在對于新的技術的需求。

發明內容

本公開的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置及其制造方法，特別地，涉及簡化制造圖像傳感器的工藝流程并改善圖像傳感器的成像質量。

根據本公開的一個方面，提供了一種制造半導體裝置的方法，該方法包括：提供器件晶片，其中該器件晶片包括襯底和形成在襯底上的器件層；在器件晶片上形成支撐層，使得支撐層和襯底位于器件層的兩側；以及將得到的半導體裝置反轉，在支撐層的支撐下，對半導體裝置進行后續處理。

根據本公開的另一個方面，提供了一種半導體裝置，該半導體裝置包括：襯底；形成在襯底上的器件層；以及形成在器件層上的支撐層，其中，支撐層在形成器件層后對襯底進行處理時被用作支撐。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得更為清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1示出了根據現有技術的圖像傳感器的制造方法中的部分步驟的示意性截面圖。

圖2示出了根據本公開一個或多個示例性實施例的半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖3A至圖3E是示出與圖2所示的方法的部分步驟對應的半導體裝置的示意性截面圖。

圖4示出了根據本公開一個或多個示例性實施例的半導體裝置的示意性截面圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。在一些情況中，使用相似的標號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結構的位置、尺寸及范圍等有時不表示實際的位置、尺寸及范圍等。因此，本公開并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實施方式

本申請的發明人認識到，傳統的圖像傳感器在簡化制造工藝流程和改善成像質量方面均面臨較大挑戰。

圖1示出了根據現有技術的圖像傳感器的制造方法中的部分步驟的示意性截面圖。典型地，圖1中的圖像傳感器100可以是背照式圖像傳感器。