[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810874051.5
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109037258A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張連謙;李志偉;冉春明;黃仁德
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供器件晶片，所述器件晶片包括襯底和形成在所述襯底上的器件層；

在所述器件晶片上形成支撐層，使得所述支撐層和所述襯底位于所述器件層的兩側(cè)；以及

將得到的半導(dǎo)體裝置反轉(zhuǎn)，在所述支撐層的支撐下，對所述半導(dǎo)體裝置進行后續(xù)處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述后續(xù)處理包括減薄所述襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述器件層包括以下結(jié)構(gòu)中的一個或多個：輻射感測層、金屬層和保護層。

4.根據(jù)權(quán)利要1所述的方法，其特征在于：

所述支撐層通過沉積處理形成。

5.根據(jù)權(quán)利要4所述的方法，其特征在于：

通過以下沉積處理中的一種或多種形成所述支撐層：

化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、原子層沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：

所述沉積處理被執(zhí)行多次。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述支撐層由硬質(zhì)材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：

形成所述支撐層的硬質(zhì)材料包括氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述支撐層的厚度為400μm～500μm。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的器件層；以及

形成在所述器件層上的支撐層，其中，

所述支撐層在形成所述器件層后對所述襯底進行處理時被用作支撐。