[發(fā)明專利]曝光方法、曝光裝置和制造物品的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810874025.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN109388034B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小泉僚;中村忠央
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張勁松

本發(fā)明公開了曝光方法、曝光裝置和制造物品的方法。本發(fā)明提供一種曝光方法，所述曝光方法用于重復(fù)地執(zhí)行用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光的曝光處理，所述方法包括：第一曝光處理，所述第一曝光處理用于測量所述投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性，并且在基于所述測量的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光；第二曝光處理，所述第二曝光處理用于在基于通過預(yù)測公式估計(jì)所述光學(xué)特性的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，其中，重復(fù)地執(zhí)行所述第一曝光處理，并且在其中判斷所確定的所述預(yù)測公式的系數(shù)已收斂的所述第一曝光處理之后開始所述第二曝光處理。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及曝光方法、曝光裝置和制造物品的方法。

背景技術(shù)

作為在諸如用于半導(dǎo)體器件的制造處理(光刻處理)中使用的一個(gè)裝置，已知用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光并將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到基板上的曝光裝置。在該曝光裝置中，由于曝光光(exposurelight)的一部分在投影光學(xué)系統(tǒng)中被吸收，因此投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性受由此產(chǎn)生的熱的影響而波動(dòng)，并且以良好的精度將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到基板上可能是困難的。

日本專利公開No.S63-58349提出了如下方法：該方法用于使用將曝光量、曝光時(shí)間等當(dāng)作變量的預(yù)測公式(模型公式)來預(yù)測投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性，并基于其預(yù)測值來控制投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性。日本專利公開No.S63-58349還提出了如下方法：該方法為了減小預(yù)測值中產(chǎn)生的誤差，實(shí)際測量投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性，并基于測量值來校正預(yù)測公式。另外，日本專利公開2006-157020提出了如下方法：該方法用于根據(jù)投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性的測量值和預(yù)測值之間的誤差來改變下一次實(shí)際測量光學(xué)特性的時(shí)間間隔。

如日本專利公開2006-157020所記載的，當(dāng)基于光學(xué)特性的測量值和預(yù)測值之間的誤差來確定預(yù)測公式的適當(dāng)性時(shí)，例如，在光學(xué)特性的測量值中出現(xiàn)測量誤差的情況下，可能難以適當(dāng)?shù)貓?zhí)行預(yù)測公式的適當(dāng)性的確定。結(jié)果，可能執(zhí)行實(shí)際上不需要的光學(xué)特性測量，這對(duì)于吞吐量是不利的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供例如在吞吐量上有利的曝光方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種曝光方法，所述曝光方法用于重復(fù)地執(zhí)行用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光的曝光處理，所述方法包括：第一曝光處理，所述第一曝光處理用于測量所述投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性，并且在基于所述測量的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光；第二曝光處理，所述第二曝光處理用于在基于通過預(yù)測公式估計(jì)所述光學(xué)特性的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，其中，所述第一曝光處理包括從直到目前為止測量所述光學(xué)特性的結(jié)果來確定所述預(yù)測公式的系數(shù)，以及判斷所確定的所述預(yù)測公式的系數(shù)是否已收斂，并且其中，在所述曝光方法中，重復(fù)地執(zhí)行所述第一曝光處理，并且在其中判斷所確定的所述預(yù)測公式的系數(shù)已收斂的所述第一曝光處理之后開始所述第二曝光處理。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種曝光裝置，所述曝光裝置重復(fù)地執(zhí)行用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光的曝光處理，所述裝置包括：測量設(shè)備，所述測量設(shè)備被配置為測量所述投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特性；以及控制器，所述控制器被配置為在重復(fù)地執(zhí)行第一曝光處理之后，開始第二曝光處理，所述第一曝光處理用于在基于使所述測量設(shè)備測量所述光學(xué)特性的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，所述第二曝光處理用于在基于根據(jù)預(yù)測公式預(yù)測所述光學(xué)特性的結(jié)果來校正所述光學(xué)特性的同時(shí)對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，其中，所述第一曝光處理包括從直到目前為止測量所述光學(xué)特性的結(jié)果來確定所述預(yù)測公式的系數(shù)，以及判斷所確定的所述預(yù)測公式的系數(shù)是否已收斂，并且其中，所述控制器被配置為在其中判斷所確定的所述預(yù)測公式的系數(shù)收斂的所述第一曝光處理之后開始所述第二曝光處理。