[發明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201810873521.6
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN108962966A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 唐霞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種顯示背板，包括多個像素單元，每個所述像素單元包括驅動薄膜晶體管和開關薄膜晶體管，其特征在于，所述驅動薄膜晶體管的第一柵絕緣層的厚度等于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的厚度，且所述驅動薄膜晶體管的第一柵絕緣層的介電常數小于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的介電常數。

2.根據權利要求1所述的顯示背板，其特征在于，所述第一柵絕緣層為一層或多層；所述第二柵絕緣層為一層或多層。

3.根據權利要求2所述的顯示背板，其特征在于，形成所述第一柵絕緣層的材料選自氮化硅和氧化硅中的至少一種，形成所述第二柵絕緣層的材料選自氮化硅和氧化硅中的至少一種。

4.根據權利要求2所述的顯示背板，其特征在于，所述第一柵絕緣層為一層，所述第二柵極絕緣層為兩層，所述第一柵極絕緣層和所述第二柵絕緣層的下層同工藝形成，所述第二柵絕緣層的上層位于所述第二柵絕緣層的下層的第一凹槽內，并與所述第一柵極絕緣層上表面平齊。

5.根據權利要求2所述的顯示背板，其特征在于，所述第一柵絕緣層為一層，所述第二柵絕緣層為一層，其中，所述第二柵絕緣層包括基體相和分散在所述基體相中的分散相，其中，所述基體相和所述分散相中一個由氧化硅形成，另一個由氮化硅形成。

6.根據權利要求2所述的顯示背板，其特征在于，所述第二柵絕緣層為一層，所述第一柵絕緣層為兩層，所述第二柵絕緣層和所述第一柵絕緣層的下層同工藝形成，所述第一柵絕緣層的上層位于所述第一柵絕緣層的下層的第二凹槽內，并與所述第二柵絕緣層上表面齊平。

7.根據權利要求2所述的顯示背板，其特征在于，所述第一柵絕緣層為兩層，所述第二柵絕緣層為兩層，所述第一柵絕緣層的下層與所述第二柵絕緣層的下層同工藝形成，所述第一柵絕緣層的上層位于所述第一柵絕緣層的下層的第三凹槽內，所述第二柵絕緣層的上層位于所述第二柵絕緣層的下層的第四凹槽內。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的顯示背板。

9.一種制作權利要求1-7任一項所述的顯示背板的方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成多個像素單元，形成每個所述像素單元包括形成驅動薄膜晶體管和開關薄膜晶體管的步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層是通過以下方法形成的：

在所述襯底上形成所述驅動薄膜晶體管的有源層作為第一有源層，形成所述開關薄膜晶體管的有源層作為第二有源層；

在所述襯底上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層；

在所述第二有源層對應的所述第一絕緣層的上方區域形成第五凹槽；

在所述第一絕緣層的表面上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層填充所述第五凹槽；

去除所述第五凹槽之外的所述第二絕緣層，以便得到所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層。

11.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述驅動薄膜晶體管的有源層作為所述第一有源層，形成所述開關薄膜晶體管的有源層作為所述第二有源層；

在所述襯底上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層；

在所述第一有源層對應的所述第一絕緣層的上方區域形成第六凹槽；

在所述第一絕緣層的表面上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層填充所述第六凹槽；

去除所述第六凹槽之外的所述第二絕緣層，以便得到所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層。