[發明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201810873521.6 | 申請日: | 2018-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN108962966A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 唐霞 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關薄膜晶體管 驅動薄膜晶體管 背板 柵絕緣層 亞閾值擺幅 介電常數 顯示裝置 像素單元 柵極電容 電路工作電壓 灰階電壓 灰階 制作 電路 | ||
本發明提供了顯示背板及其制作方法和顯示裝置。所述顯示背板包括多個像素單元,每個所述像素單元包括驅動薄膜晶體管和開關薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管中的第一柵絕緣層的厚度等于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的厚度,且所述驅動薄膜晶體管的第一柵絕緣層的介電常數小于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的介電常數。由此,在該顯示背板中,驅動薄膜晶體管具有較小的柵極電容,較大的亞閾值擺幅,更有利于該顯示背板實現不同灰階電壓的設置,以便更好的控制不同灰階的顯示,和/或開關薄膜晶體管具有較大的柵極電容,較小的亞閾值擺幅,有利于降低電路工作電壓以及提高電路工作速度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體的,涉及顯示背板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
OLED器件的基本結構是由一薄而透明具半導體特性的正極銦錫氧化物(ITO)、一個金屬陰極和發光層包成如三明治的結構,發光層包括:空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當給正極和負極施加一定電壓,發光層就會產生光亮,并依其配方不同產生紅(R)、綠(G)和藍(B)三基色,構成基本色彩。OLED器件的特性是自己發光,不像TFTLCD需要背光,因此可視度和亮度均高,其次是電壓需求低且省電效率高,加上反應快、重量輕、厚度薄,構造簡單,成本低等,被視為21世紀最具前途的產品之一。但是,在OLED器件的顯示背板結構的設計上仍有許多不足之處,仍需進一步改進,以此來提高OLED器件的顯示效果。
因此,關于顯示背板的研究有待深入。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種顯示背板,該顯示背板更有利于實現不同灰階電壓的設置,以便更好的控制不同灰階的顯示,或者降低電路工作電壓以及提高電路工作速度。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種顯示背板。根據本發明的實施例,所述顯示背板包括多個像素單元,每個所述像素單元包括驅動薄膜晶體管和開關薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管中的第一柵絕緣層的厚度等于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的厚度,且所述驅動薄膜晶體管的第一柵絕緣層的介電常數小于所述開關薄膜晶體管的第二柵絕緣層的介電常數。由此,在該顯示背板中,驅動薄膜晶體管具有較小的柵極電容,較大的亞閾值擺幅,更有利于該顯示背板實現不同灰階電壓的設置,以便更好的控制不同灰階的顯示,和/或開關薄膜晶體管具有較大的柵極電容,較小的亞閾值擺幅,有利于降低電路工作電壓以及提高電路工作速度。
根據本發明的實施例,所述第一柵絕緣層為一層或多層;所述第二柵絕緣層為一層或多層。
根據本發明的實施例,形成所述第一柵絕緣層的材料選自氮化硅和氧化硅中的至少一種,形成所述第二柵絕緣層的材料選自氮化硅和氧化硅中的至少一種。
根據本發明的實施例,所述第一柵絕緣層為一層,所述第二柵極絕緣層為兩層,所述第一柵極絕緣層和所述第二柵絕緣層的下層同工藝形成,所述第二柵絕緣層的上層位于所述第二柵絕緣層的下層的第一凹槽內,并與所述第一柵極絕緣層上表面平齊。。
根據本發明的實施例,所述第一柵絕緣層為一層,所述第二柵絕緣層為一層,其中,所述第二柵絕緣層包括基體相和分散在所述基體相中的分散相,其中,所述基體相和所述分散相中一個由氧化硅形成,另一個由氮化硅形成。
根據本發明的實施例,所述第二柵絕緣層為一層,所述第一柵絕緣層為兩層,所述第二柵絕緣層和所述第一柵絕緣層的下層同工藝形成,所述第一柵絕緣層的上層位于所述第一柵絕緣層的下層的第二凹槽內,并與所述第二柵絕緣層上表面齊平。
根據本發明的實施例,所述第一柵絕緣層為兩層,所述第二柵絕緣層為兩層,所述第一柵絕緣層的下層與所述第二柵絕緣層的下層同工藝形成,所述第一柵絕緣層的上層位于所述第一柵絕緣層的下層的第三凹槽內,所述第二柵絕緣層的上層位于所述第二柵絕緣層的下層的第四凹槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





