[發明專利]具有絕緣的源極/漏極跳線結構的半導體裝置

在審

• 申請號: 201810873335.2
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109494252A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 席德哈斯·瑞斯托吉;沙布哈許·克查尼利;梁在錫;千寬永
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

一種半導體裝置，包括：絕緣體，在襯底上，并具有相對的第一側和第二側，第一側和第二側中的每一個沿第一方向延伸；第一鰭圖案，從絕緣體的第三側沿第一方向延伸；第二鰭圖案，從絕緣體的第四側沿第一方向延伸；以及第一柵極結構，從絕緣體的第一側沿橫向于第一方向的第二方向延伸。所述裝置還包括：第二柵極結構，從絕緣體的第二側沿第二方向延伸；第三鰭圖案，與第一柵極結構交疊，與絕緣體的第一側隔開，并且沿第一方向延伸；第四鰭圖案，與第二柵極結構交疊，與第二側隔開，并且在第二側延伸的方向上延伸。絕緣體的上表面高于第一鰭圖案的上表面和第二鰭圖案的上表面。

[相關申請的交叉參考]

本申請要求于韓國知識產權局于2017年9月11日提交的韓國專利申請第10-2017-0116018號的權益，所述申請的公開內容整體并入本文中作為參考。

技術領域

本發明概念涉及半導體裝置，更具體地涉及半導體裝置中的連接結構。

背景技術

半導體裝置的尺寸越來越小，效率越來越高。為了變得更小，半導體裝置需要更高的集成度。因此，半導體裝置正在按比例縮小。

由于半導體裝置按比例縮小，晶體管的柵極與形成于晶體管的源極/漏極上的接觸件之間的間隙迅速縮小。

發明內容

發明概念的一方面可以通過包括隔離柵極結構的絕緣體而提供具有改進的集成密度和可靠度的半導體裝置。

發明概念的一方面還可以通過包括形成在隔離柵極結構的絕緣體上的源極/漏極接觸件而提供具有改進的集成密度和可靠度的半導體裝置。

然而，發明概念的這些方面不限于這里所述的一個。通過參考下面給出的發明概念的詳細描述，發明概念所屬領域的普通技術人員將更清楚發明概念的上述和其它方面。

根據發明概念的一些實施例，半導體裝置包括：絕緣體，在襯底上并具有相對的第一側和第二側，每一側都沿第一方向延伸；第一鰭圖案，從絕緣體的第三側沿第一方向延伸；第二鰭圖案，從絕緣體的第四側沿第一方向延伸；以及第一柵極結構，從絕緣體的第一側沿橫向于第一方向的第二方向延伸。所述裝置還包括：第二柵極結構，從絕緣體的第二側沿第二方向延伸；第三鰭圖案，與第一柵極結構交疊，與絕緣體的第一側隔開，并且沿第一方向延伸；以及第四鰭圖案，與第二柵極結構交疊，與第二側隔開，并且在第二側延伸的方向上延伸。絕緣體的上表面高于第一鰭圖案的上表面和第二鰭圖案的上表面。

一些實施例提供了一種半導體裝置，其包括：場絕緣層，設置在襯底上，隔開從場絕緣層的上表面突出的第一鰭圖案和第二鰭圖案；以及絕緣圖案，位于第一鰭圖案和第二鰭圖案之間，并從場絕緣層的上表面突出。所述裝置還包括：第一柵極結構，設置在第一鰭圖案上；第二柵極結構，設置在第二鰭圖案上；以及絕緣體，設置在場絕緣層上，覆蓋絕緣圖案并接觸第一柵極結構和第二柵極結構。

進一步實施例提供了一種半導體裝置，其包括：絕緣體，設置在襯底上，并包括沿第一方向延伸的相對的第一側和第二側；第一鰭圖案，從絕緣體的第三側沿橫向于第一方向的第二方向延伸；第二鰭圖案，從絕緣體的與第三側相對的第四側并且在第二方向延伸；以及絕緣圖案，在絕緣體之下以及在第一鰭圖案和第二鰭圖案之間。所述裝置還包括：第一柵極結構，從絕緣體的第一側沿第一方向延伸；以及第二柵極結構，從絕緣體的第二側沿著第一方向延伸并且通過絕緣體與第一柵極結構絕緣。絕緣體的上表面高于第一鰭圖案的上表面和第二鰭圖案的上表面。

進一步實施例提供了一種半導體裝置，其包括：第一鰭圖案，設置在襯底上并沿第一方向延伸；第一柵極結構，沿橫向于第一方向的第二方向延伸并且和第一鰭圖案交疊；第一源極/漏極區，設置在第一柵極結構的第一側上并且和第一鰭圖案交疊；以及第二源極/漏極區，設置在第一柵極結構的第二側上，和第一鰭圖案交疊，并連接至第一源極/漏極區。

附圖說明