[發明專利]具有絕緣的源極/漏極跳線結構的半導體裝置

在審

• 申請號: 201810873335.2
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109494252A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 席德哈斯·瑞斯托吉;沙布哈許·克查尼利;梁在錫;千寬永
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

絕緣體，在襯底上并具有相對的第一側和第二側，所述第一側和所述第二側中的每一個沿第一方向延伸；

第一鰭圖案，從所述絕緣體的第三側沿所述第一方向延伸；

第二鰭圖案，從所述絕緣體的第四側沿所述第一方向延伸；

第一柵極結構，從所述絕緣體的所述第一側沿橫向于所述第一方向的第二方向延伸；

第二柵極結構，從所述絕緣體的所述第二側沿所述第二方向延伸；

第三鰭圖案，與所述第一柵極結構交疊，與所述絕緣體的所述第一側隔開，并且沿所述第一方向延伸；以及

第四鰭圖案，與所述第二柵極結構交疊，與所述第二側隔開，并且在所述第二側延伸的方向上延伸，

其中所述絕緣體的上表面高于所述第一鰭圖案的上表面和所述第二鰭圖案的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括在所述絕緣體之下并設置在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間的絕緣圖案。

3.根據權利要求2所述的所述半導體裝置，還包括設置在所述襯底上并部分覆蓋所述第一鰭圖案、所述第二鰭圖案、所述第三鰭圖案和所述第四鰭圖案的場絕緣層，其中所述絕緣圖案包括與所述場絕緣層相同的材料，并且其中所述絕緣圖案的上表面高于所述場絕緣層的上表面。

4.根據權利要求1所述的所述半導體裝置，還包括在所述絕緣體之下并設置在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間且連接所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案的連接鰭圖案。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一源極/漏極區，設置在于所述絕緣體的至少一側附近；以及

源極/漏極接觸件，設置在所述絕緣體上并連接到所述第一源極/漏極區。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述源極/漏極接觸件包括直接接觸所述第一源極/漏極區的第一部分和在所述絕緣體之上并連接到所述源極/漏極接觸件的所述第一部分的第二部分。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述絕緣體的部分插入所述源極/漏極接觸件的所述第二部分中。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一源極/漏極區，設置在所述第一柵極結構的一側上；以及

第二源極/漏極區，設置在所述第一柵極結構的第二側上并連接到所述第一源極/漏極區。

9.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

場絕緣層，設置在襯底上，隔開從所述場絕緣層的上表面突出的第一鰭圖案和第二鰭圖案；

絕緣圖案，設置在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間，并從所述場絕緣層的上表面突出；

第一柵極結構，設置在所述第一鰭圖案上；

第二柵極結構，設置在所述第二鰭圖案上；以及

絕緣體，設置在所述場絕緣層上，覆蓋所述絕緣圖案，并接觸所述第一柵極結構和所述第二柵極結構。

10.根據權利要求9所述的所述半導體裝置，其中所述第一柵極結構從所述絕緣體的第一側延伸，且所述第二柵極結構從與所述絕緣體的所述第一側相對的所述絕緣體的第二側延伸。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括：

第三柵極結構，從所述絕緣體的所述第一側延伸并與所述第一柵極結構間隔開；以及

第四柵極結構，從所述絕緣體的所述第二側延伸并與所述第二柵極結構間隔開。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述絕緣圖案包括與所述場絕緣層相同的材料。

13.根據權利要求12所述的所述半導體裝置，還包括設置在所述第一鰭圖案和所述第二鰭圖案之間并且通過所述絕緣圖案而彼此絕緣的第三鰭圖案和第四鰭圖案。