[發明專利]一種太陽能組件及其制造方法在審
| 申請號: | 201810867438.8 | 申請日: | 2018-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN110808305A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 陳東春;張欣;柳大為;李超 | 申請(專利權)人: | 北京漢能光伏投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧嬋 |
| 地址: | 101499 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 組件 及其 制造 方法 | ||
本公開實施例涉及一種太陽能組件及其制造方法,太陽能組件包括依次設置并層壓為一體的第一基板、第一膠片層、電池芯片、第二膠片層和第二基板,其中,所述第一膠片層和所述第二膠片層至少一者為SGP膠片層。根據本公開實施例提供的太陽能組件及其制造方法,實現高強度的太陽能組件。同時,不需額外增加太陽能組件的厚度、重量以及復雜的生產工藝。
技術領域
本公開涉及太陽能光伏技術領域,具體地,涉及一種太陽能組件及其制造方法。
背景技術
隨著經濟社會的發展,環保節能與可持續發展是當今可持續發展的兩大主題。越來越多的研究和關注涉及了石油,火力發電等傳統能源以外的新能源技術。毫無疑問地,太陽能光伏技術是這一趨勢中必不可少的一個具有發展潛力的技術領域。
這其中,薄膜太陽能電池是緩解能源危機的新型光伏器件。可預期地,薄膜太陽能電池通過新材料等技術的發展可能使用在價格上低廉的陶瓷、石墨、金屬片等不同材料當基板來制造,目前轉換效率已經可以超過10%。薄膜電池太陽電池除了平面之外,還可預期地具有可撓性能夠制作成非平面的構造,其可以廣泛地應用于建筑、工業用電和民用取電領域。
太陽能電池芯片,通常與設置于其前后的玻璃基板彼此按照一定順序堆疊,制造出多層結構的太陽能組件。在透明的玻璃基板與電池芯片之間,需要設置包括膠黏劑層(也稱膠片層)的其它多個輔助功能層。對于傳統常規太陽能組件而言,膠片采用PVB(polyvinyl butyral,熱塑性樹脂)或EVA(ethylene-vinyl acetate copolymer,乙烯-醋酸乙烯共聚物)膠層并進行相應的壓制加工。然而,當太陽能組件用在較為苛刻的工作環境中,例如用在超高層建筑中時,由于存在長期暴露于水分、灰塵環境以及承受較大機械負載等情況,一般厚度和尺寸的PVB、EVA膠片不能滿足強度要求;此時必須選擇加厚的PVB膠片厚度,或者為了增加強度而增加玻璃的厚度,并且對于此類應用,EVA膠片經常由于強度不足而不能滿足要求。
近年來有光伏產品采用SGP(Surper Safe Glas,離子性中間膜或子聚合物中間膜)膠片作為太陽能組件的膠片層。包含SGP膠片的太陽能組件粘合能力強,抗壓強度更高。然而,SGP膠片本身成本較高,制作工藝相對復雜,通常要為包含SGP膠片的太陽能組件專門設計輥壓機、真空袋等結構。因此,需要探索一種機械、光學綜合能力優異,同時生產成本低的太陽能組件及其生產方法。通常而言,各生產企業使用層壓機來加工和制造含有PVB,EVA膠片的太陽能組件,但是利用工藝生產線的層壓機和符合太陽能器件性能的層壓工藝來生產含有SGP膠片的太陽能組件還未有涉及。
例如,中國發明專利CN104291711A公開了一種干法夾層玻璃的生產工藝,其公開了將含有PVB膠膜的夾層玻璃通過高溫加壓方法來進行生產。根據該專利的技術方案,可以在一定程度上實現簡單易行的夾層玻璃生產。但是,該類技術沒有針對光伏組件多層的特點和要求進行考慮,也沒有針對包含SGP膠片的太陽能組件的生產工藝進行探索和實踐。
因而,還亟待提供改善性能的太陽能組件以及保證其性能和規模化生產的可靠而成本低廉的制造工藝。
發明內容
本公開提供一種太陽能組件及其制造方法,以改善太陽能組件的結構性能,降低制造工藝成本。
本公開第一方面提供一種太陽能組件,包括依次設置并層壓為一體的第一基板、第一膠片層、電池芯片、第二膠片層和第二基板,其中,所述第一膠片層和所述第二膠片層至少一者為SGP膠片層。
可選的,太陽能組件還包括在所述第二基板背側依次設置的間隔框和第三基板,所述第三基板與所述第二基板通過間隔框間隔以形成空腔結構。
可選的,所述SGP膠片層的厚度小于3mm;或者
所述SGP膠片層的厚度小于2.5mm;或者
所述SGP膠片層的厚度小于1mm。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





