[發明專利]一種太陽能組件及其制造方法在審
| 申請號: | 201810867438.8 | 申請日: | 2018-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN110808305A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 陳東春;張欣;柳大為;李超 | 申請(專利權)人: | 北京漢能光伏投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧嬋 |
| 地址: | 101499 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 組件 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能組件,其特征在于,包括依次設置并層壓為一體的第一基板、第一膠片層、電池芯片、第二膠片層和第二基板,其中,所述第一膠片層和所述第二膠片層至少一者為SGP膠片層。
2.根據權利要求1所述的太陽能組件,其特征在于,還包括在所述第二基板背側依次設置的間隔框和第三基板,所述第三基板與所述第二基板通過間隔框間隔以形成空腔結構。
3.根據權利要求1所述的太陽能組件,其特征在于,
所述SGP膠片層的厚度小于3mm;或者
所述SGP膠片層的厚度小于2.5mm;或者
所述SGP膠片層的厚度小于1mm。
4.根據權利要求1~3任一項所述的太陽能組件,其特征在于,所述第一基板為玻璃前板或高分子前板。
5.根據權利要求1~3任一項所述的太陽能組件,其特征在于,所述第一基板為前板;所述第一基板包括絲印玻璃基板、仿石玻璃基板或鍍膜仿石玻璃基板,其中:
所述絲印玻璃基板具有絲印區域,所述絲印區域設置在所述第一基板的面對所述電池芯片的一側表面周邊;
所述鍍膜仿石玻璃基板具有鍍膜層,所述鍍膜層設置在所述第一基板的遠離所述電池芯片的一側表面。
6.根據權利要求1~3任一項所述的太陽能組件,其特征在于,所述第二基板選自超白鋼化玻璃板、普通鋼化玻璃板、浮法玻璃板或彩釉鋼化玻璃板中的任意一種。
7.根據權利要求1~3任一項所述的太陽能組件,其特征在于,所述第一膠片層為SGP膠片層,所述第二膠片層為EVA膠片層或PVB膠片層。
8.一種制造如權利要求1~7中任一項所述的太陽能組件的方法,其特征在于,所述方法包括:
將第一基板、第一膠片層、電池芯片、第二膠片層和第二基板依堆疊以形成堆疊體,其中,所述第一膠片層和所述第二膠片層至少一者為SGP膠片層;
將所述堆疊體送入層壓機中實施層壓工藝,使第一基板、第一膠片層、電池芯片、第二膠片層和第二基板層壓為一體。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,所述層壓工藝包括:
第一層壓階段:對所述堆疊體實施預熱,以及對所述堆疊體的上方和下方進行預抽真空,使得堆疊體的上方和下方具有相同的真空度,并在此條件下保持第一時長;
第二層壓階段:調整堆疊體上方的真空度,使得堆疊體上方的真空度低于堆疊體下方的真空度,并在此條件下保持第二時長;
第三層壓階段:將經歷上述第二層壓階段的堆疊體送入高壓釜中,對堆疊體施加高溫和高壓,并維持第三時長。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一層壓階段、第二層壓階段以及第三層壓階段中的至少一者滿足以下工藝條件:
在第一層壓階段中,所述預抽真空的真空度為表壓-70kpa至-100kpa,所述預熱的溫度為130℃至150℃;所述第一時長為1200秒至2400秒;
在第二層壓階段中,調整后的堆疊體的上方的真空度為表壓-60kpa至-10kpa,而所述堆疊體的下方的真空度保持與第一階段中的真空度相同;所述第二時長為1500秒至2500秒;
在第三層壓階段中,高壓釜中的所述高壓為1.1至2.0Mpa,所施加的高溫為125℃至140℃;所述第三時長為30分鐘至90分鐘。
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H01L31-04 .用作轉換器件的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





