[發(fā)明專利]一種聚酰亞胺電存儲新材料的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810867218.5
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN108847444A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 王金楨
• 申請（專利權(quán)）人: 王金楨
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C08G73/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，具體關(guān)于一種聚酰亞胺電存儲新材料的制備方法；本方法用2,2?二溴?4,4?二氨基聯(lián)苯和3,4,5?三氟聯(lián)苯基硼酸在三苯基膦醋酸鈀和碳酸鉀的催化作用下發(fā)生偶聯(lián)反應，制備了一種含氟芳基聯(lián)苯二胺單體；用該種單體和2,2?二三氟苯基?3,3',4,4'?聯(lián)苯四羧酸二酐室溫攪拌反應8?15h后用封端劑封端后得到聚酰亞胺材料，將得到的材料旋涂于氧化銦錫玻璃上，蒸鍍上鋁膜電極，即可得到所述的一種聚酰亞胺電存儲新材料。該種聚酰亞胺電存儲新材料不含柔性鏈段，熱穩(wěn)定性好；該材料表現(xiàn)出穩(wěn)定的存儲特性，更低的光學帶隙和更高的ON/OFF電流比，在電雙穩(wěn)態(tài)存儲器件上具有廣闊的應用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，具體關(guān)于一種聚酰亞胺電存儲新材料的制備方法。

背景技術(shù)

信息技術(shù)的蓬勃發(fā)展要求電存儲器件朝著非易失性、高存儲容量、快速響應和低成本的方向發(fā)展。功能化聚酰亞胺具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、透光性、化學穩(wěn)定性和成膜性等特點，在各類光電材料中得到廣泛應用。

CN103497176A公開了一種三進制電存儲材料及其制備和應用，其中三進制電存儲材料的化學結(jié)構(gòu)通式為：其中，x為5-9；y為1-5；數(shù)均分子量為11000-13000，分子量分布為1.4-1.6，R為-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。該發(fā)明的三進制電存儲材料具有超高電信息存儲密度的優(yōu)越性能，大大提高了材料的信息存儲能力。同時，基于上述三進制電存儲材料能夠制得三進制數(shù)據(jù)存儲器件，該制備方法簡單，效率高，制備的三進制數(shù)據(jù)存儲器件穩(wěn)定性高，在單位密度內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲量將比基于“0”、“1”二進制數(shù)據(jù)存儲呈指數(shù)級增長，因此在下一代的超高密度數(shù)據(jù)存儲應用中具有巨大的價值。

CN1821087A提供了一種在基片上定向生長高c軸取向的釹摻雜鈦酸鉍[(Bi，Nd)₄Ti₃O₁₂，BNT]納米線陣列鐵電存儲材料及其合成方法，它是先選擇一種與BNT材料晶格匹配的基片，并采用磁控濺射方法在基片上濺射Au或Pt量子點作催化劑，配制含Bi³⁺、Nd³⁺和Ti⁴⁺的前驅(qū)體溶液，然后將基片和前驅(qū)體溶液放入高壓反應器內(nèi)，嚴格控制水熱合成的工藝條件(如溫度、壓強、反應時間等)，生長合成出高c軸取向釹摻雜鈦酸鉍納米線陣列鐵電存儲材料，利用納米線陣列的垂直記錄模式，將大大提高材料單位面積上的存儲容量，從而將使器件尺寸進一步降低。鐵電納米線陣列可望取代鐵電薄膜在鐵電存儲介質(zhì)方面的應用，成為新一代鐵電存儲材料。

CN101560304A公開了一種芴-三苯胺共軛聚合物電存儲器件的制備方法：將ITO玻璃在水、無水乙醇、丙酮、無水乙醇、去離子水中超聲清洗，保存在無水乙醇中備用；以權(quán)利要求1所述的芴-三苯胺共聚物為電存儲材料，配制成3-15mg/mL的聚合物溶液；將聚合物溶液均勻的旋涂在ITO玻璃上，真空干燥，除去溶劑；通過真空蒸鍍的方法將頂電極Al鍍在聚合物上。利用該發(fā)明制備的有機電存儲器件具有工藝操作簡單、成本低、工作電壓低、開關(guān)電流比大的特點。在信息存儲領(lǐng)域中具有良好的應用前景。

雖然聚酰亞胺材料作為光電材料受到廣泛研究，但是由于合成成本較高、工藝比較復雜等原因，功能化的聚酰亞胺單體在市場上銷售價格昂貴，種類較少，特別是柔性鏈的引入會使得聚酰亞胺的熱穩(wěn)定性相對下降，影響了酰亞胺作為電存儲材料的應用。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種聚酰亞胺電存儲新材料的制備方法。

一種聚酰亞胺電存儲新材料的制備方法，制備技術(shù)方案如下：