[發(fā)明專利]3D NAND閃存的讀取方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810864131.2 | 申請日： | 2018-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN109065091B | 公開（公告）日： | 2022-11-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉紅濤;靳磊;黃瑩;魏文喆;王啟光 | 申請（專利權(quán)）人： | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | nand 閃存 讀取 方法 | ||
1.一種3D NAND閃存的讀取方法，所述3D NAND閃存包括在三維空間內(nèi)陣列排布的多個(gè)存儲單元，構(gòu)成多個(gè)存儲串，每一個(gè)存儲串的頂部的晶體管為上選擇管，所述上選擇管連接至位線，存儲串底部的晶體管為下選擇管，位于同一層內(nèi)的多個(gè)存儲單元組成存儲行，位于同一存儲行內(nèi)的存儲單元的柵極均連接至同一字線，待讀取存儲單元所在的存儲串作為選中串，其特征在于，所述讀取方法包括依次進(jìn)行的預(yù)導(dǎo)通階段和讀取階段步驟，其中，在所述預(yù)導(dǎo)通階段中對選中串及非選中串的位線施加持續(xù)的預(yù)充電壓；同時(shí)，導(dǎo)通選中串的上選擇管和非選中串的上選擇管，關(guān)斷選中串的下選擇管和非選中串的下選擇管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D NAND閃存的讀取方法，其特征在于，讀取階段中，對位線施加驅(qū)動電壓；所述預(yù)充電壓大于所述驅(qū)動電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D NAND閃存的讀取方法，其特征在于，在所述預(yù)導(dǎo)通階段中還包括：在預(yù)導(dǎo)通階段結(jié)束之前，關(guān)斷所述非選中串的上選擇管；對位線施加預(yù)充電壓直至預(yù)導(dǎo)通階段結(jié)束。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D NAND閃存的讀取方法，其特征在于，在所述預(yù)導(dǎo)通階段中還包括：在對位線施加預(yù)充電壓的同時(shí)，對選中字線和非選中字線施加預(yù)導(dǎo)通電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D NAND閃存的讀取方法，其特征在于，還包括位于所述讀取階段之后的預(yù)關(guān)斷階段；所述預(yù)關(guān)斷階段中，位線保持低電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的3D NAND閃存的讀取方法，其特征在于，所述預(yù)關(guān)斷階段中，導(dǎo)通選中串的上選擇管、非選中串的上選擇管、選擇串的下選擇管和非選中串的下選擇管，以及對非選中字線和選中字線均施加導(dǎo)通電壓。
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